Компания Samsung объявила о старте массового производства первых в индустрии 12-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти LPDDR4 на базе 20-нанометрового технологического процесса.
Новый чип мобильной памяти является самым передовым решением на быстрорастущем рынке высокопроизводительных устройств мобильной DRAM-памяти. Samsung LPDDR3 емкостью 12 Гбит отличается улучшенной пропускной способностью и наивысшей скоростью работы, доступной на рынке чипов DRAM-памяти, что обеспечивает энергоэффективность, надежность и простоту дизайна – все необходимое для разработки мобильных устройств нового поколения.
Новый 20-нм 12-гигабитный LPDDR4 чип с 4,266 Мбит/с обеспечивает более 30% выше производительность по сравнению с 8-гигабитным LPDDR4 чипом. Новый чип также работает в два раза быстрее, чем DRAM DDR4 для ПК и потребляет на 20 процентов меньше энергии. Кроме того, благодаря тому, что производительность 12-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти LPDDR4 выросла более чем на 50% по сравнению с поколением 8-гигабитных LPDDR4 чипов класса 20-нм, они будут использоваться в индустрии флагманских мобильных устройств.
12-гигабитный чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4 позволяет использовать 3 ГБ или 6 ГБ мобильной DRAM-памяти в одном устройстве, используя всего 2 и 4 микросхемы соответственно. Таким образом, новый чип – единственное решение на рынке, которое предлагает 6 ГБ DRAM-памяти и поэтому позволит потребителям наслаждаться многозадачностью и максимальной производительностью в работе с последними версиями операционной системы. Отвечая запросам современной индустрии мобильных устройств, 6-гигабайтный чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4 занимает столько же места, что и 3-гигабайтный LPDDR4.
С выходом первого в индустрии 12-гигабитного чипа мобильной DRAM-памяти LPDDR4 компания Samsung усиливает конкурентоспособность линейки 20-нм DRAM чипов мобильной памяти (12 Гбит/ 8 Гбит/ 6 Гбит/ 4 Гбит), что, в дальнейшем, позволит укрепить позиции компании на рынке памяти для устройств премиум-класса.