.){kind=link}
أعلنت شركة Micron Technology عن بدء الإنتاج الضخم وتسليم شرائح الذاكرة DDR16 بسعة 5 جيجابت والتي تم تصنيعها وفقًا للعملية التكنولوجية الأكثر تقدمًا للشركة المصنعة - 1β (1-beta). على أساس هذه الذاكرة، يمكن إنشاء وحدات ذاكرة الوصول العشوائي (RAM) للخوادم وأجهزة الكمبيوتر الشخصية بسرعة تصل إلى 7200 MT/s.
شركة يعلن، أن الانتقال إلى عملية 1β باستخدام تقنية High-K CMOS المتقدمة وتنظيم تردد الساعة على أربع مراحل ومزامنة الساعة يسمح بزيادة بنسبة 50% في الأداء وزيادة بنسبة 33% في كفاءة الطاقة لكل واط مقارنة بالجيل السابق من الذاكرة .
مع زيادة عدد نوى وحدة المعالجة المركزية لتلبية المتطلبات المتزايدة لأحمال عمل مركز البيانات، تزداد الحاجة إلى المزيد من الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي بشكل كبير. تتيح ذاكرة DDR5 DRAM التي تصل سرعتها إلى 7200 مليون طن متري/ثانية استنادًا إلى عملية Micron's 1β حوسبة قابلة للتطوير بأداء أعلى في مجالات مثل التعلم والتكامل في مجال الذكاء الاصطناعي (AI) والذكاء الاصطناعي التوليدي وتحليلات البيانات وقواعد البيانات في الذاكرة (IMDB) في مراكز معالجة البيانات و على منصات العملاء.
تتوفر شرائح الذاكرة الجديدة من Micron بسعات 16 و24 و32 جيجابت (2 و3 و4 جيجابايت) وتوفر سرعات تشغيل تتراوح من 4800 إلى 7200 MT/s. ستكون الذاكرة الجديدة متاحة في كل من قطاعي الخادم والمستهلك. تخطط شركة Micron لتوسيع استخدام عملية 1β المتقدمة لإنتاج LPDDR5x وGDDR7 وحتى بلورات الذاكرة HBM3e، حسبما تشير الشركة المصنعة.
اقرأ أيضا:
- Samsung تستعد لإصدار وحدات ذاكرة DDR5 بحجم 1 تيرابايت
- تُصدر SK hynix أول رقائق الهاتف المحمول LPDDR24X بسعة 5 جيجابايت في العالم