Samsung قد وصل للتو إلى معلم هام في تطوير جيل جديد من ذاكرة الوصول العشوائي (RAM) لأجهزة الكمبيوتر والأجهزة المحمولة. قامت الشركة بتسليم أول مليون وحدة DDR4 DRAM من فئة 10 نانومتر بناءً على عملية الأشعة فوق البنفسجية القصوى. يجب أن تساعد تقنيات الطباعة الحجرية من الجيل التالي Samsung التغلب على الحواجز في تحجيم DRAM ، مما سيقلل من وقت التطوير ويزيد من الأداء.
لكن لا تتوقع أن تكون ذاكرة الوصول العشوائي المستندة إلى EUV موجودة في كل مكان في أي وقت قريبًا. في Samsung لن يكون لديها مصنع آخر لإنتاج الرقائق حتى النصف الثاني من عام 2020 ، ولا تتوقع الشركة المصنعة أن تبدأ الإنتاج الضخم لذاكرة DDR5 الأسرع حتى عام 2021. هذه نظرة على مستقبل ذاكرة الوصول العشوائي أكثر من كونها حلًا جاهزًا في الوقت الحالي.