SK هاينكس، ثاني أكبر مصنع لرقائق الذاكرة بعد Samsung، أعلنت للتو (6 أكتوبر 2020) أنها أول شركة في العالم تنتج دوائر كهربائية دقيقة ذاكرة الوصول العشوائي DDR5 (ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية مع معدل نقل بيانات مزدوج).
تتميز رقائق DDR5 DRAM الجديدة بأداء أسرع 1,8 مرة من الجيل السابق من ذاكرة DDR4. قالت الشركة الكورية الجنوبية إنها أكملت العديد من الاختبارات وحتى أنها زودت الشركات الشريكة بعيناتها للاختبار. أحد هؤلاء الشركاء هو Intel. DDR5 هو معيار DRAM من الجيل التالي الذي سيحتوي على مجموعة واسعة من التطبيقات التي تتراوح بين البيانات الضخمة والذكاء الاصطناعي وتقنيات التعلم الآلي ، إلخ.
وفقًا لـ SK Hynix ، تدعم ذاكرة DDR5 DRAM الجديدة سرعات نقل من 4800 إلى 5600 ميجابت في الثانية ، وهو أسرع بمقدار 1,8 مرة من 3200 ميجابت في الثانية التي تقدمها DDR4. والجدير بالذكر أن أسرع خيار نقل يبلغ 5600 ميجابت في الثانية يسمح للمستخدمين ببث حوالي تسعة أفلام عالية الدقة FHD بسعة 5 جيجابايت لكل منها في ثانية واحدة. على الرغم من ارتفاع معدل نقل البيانات ، إلا أن شرائح DRAM الجديدة أكثر كفاءة في استخدام الطاقة: فقد تم تقليل جهد التشغيل من 1,2 إلى 1,1 فولت ، مما يسمح بتخفيض استهلاك الطاقة بنسبة 20 بالمائة.
يتم أيضًا تحميل شرائح DDR5 الجديدة برمز تصحيح الخطأ (ECC) ، والذي يمكنه بحد ذاته تصحيح أخطاء خلية DRAM ذات مستوى 1 بت. بالإضافة إلى ذلك ، زادت التكنولوجيا الجديدة أيضًا من موثوقية نظام تطبيق DDR5 بمقدار 20 مرة وسمحت بتقليل استهلاك الطاقة وتكاليف تشغيل مراكز البيانات.
اقرأ أيضا: