شركة Samsung أعلنت الإلكترونيات عن بدء الإنتاج الضخم لأول نظام بلوري واحد في السوق System-on-Chip (SoC ، اقرأ التفاصيل هنا) في عملية FinFET 10 نانومتر.
10 نانومتر موجودة بالفعل في السوق
قال يون شي يون ، نائب الرئيس التنفيذي ، رئيس قسم تصنيع أشباه الموصلات Samsung إلكترونيات. - سنواصل بذل قصارى جهدنا لإنشاء تقنيات مبتكرة قابلة للتطوير وتزويد المستخدمين بحلول متكاملة ومميزة ".
معالج جديد Samsung 10nm FinFET (10LPE) لديها هيكل ثلاثي الأبعاد للترانزستور المتقدم. تم تحسين تقنيتها التشغيلية وتصميمها مقارنة بالإصدار السابق 3 نانومتر ، مما يوفر كفاءة سطح محددة أعلى بنسبة 14٪ ، وأداء أعلى بنسبة 30٪ ، واستهلاك أقل للطاقة بنسبة 40٪. لإزالة قيود القياس ، يستخدم الحل الجديد أحدث الحلول التقنية - الهيكلة الثلاثية. يوفر توجيهًا ثنائي الاتجاه لدعم مرونة أكبر في التصميم والتوجيه مقارنة بالنماذج السابقة.
قبل Samsung قدمت الجيل الأول من الحلول للعملية التكنولوجية 10 نانومتر (10LPE). تحسن أداء الجيل الثاني (10LPP) ، ومن المقرر بدء الإنتاج الضخم في النصف الثاني من عام 2017.
بالتعاون الوثيق مع الشركاء Samsung تعتزم أيضًا إنشاء نظام بيئي وظيفي لأشباه الموصلات يدمج أدوات التحقق من التدفق المرجعي والملكية الفكرية والمكتبة. تتوفر حاليًا مجموعة أدوات تطوير الإنتاج (PDK) ومجموعة أدوات تطوير IP لإطلاق البنية.
سيتم استخدام نظام 10nm SoC في الأجهزة الرقمية اعتبارًا من أوائل العام المقبل. من المتوقع أن تصبح متاحة للمستهلك الشامل خلال عام 2017. يمكنك معرفة المزيد عن الشركة متصل .