Neulich der Vizepräsident der Abteilung Samsung vom Auftragschiphersteller Jeon Gi-tae in einem Interview mit der Veröffentlichung The Elec berichtet, dass im zukünftigen technologischen Prozess SF1.4 (Klasse 1,4 nm) die Anzahl der Kanäle in Transistoren von drei auf vier erhöht wird, was spürbare Vorteile hinsichtlich Leistung und Energieverbrauch bringen wird. Dies wird drei Jahre nach der Veröffentlichung ähnlicher Transistoren von Intel geschehen, was dazu führen wird Samsung den Konkurrenten einholen.
Gesellschaft Samsung war der erste Hersteller von Transistoren mit einem Gate, das die Kanäle in den Transistoren vollständig umgibt (SF3E). Dies geschah vor über einem Jahr und wird recht selektiv eingesetzt. Ein solcher 3-nm-Prozess wird beispielsweise zur Herstellung von Chips für Kryptowährungs-Miner verwendet. Kanäle in Transistoren des neuen technologischen Prozesses sind übereinander angeordnete dünne Nanoblätter. Bei Transistoren Samsung drei solcher Kanäle, die auf allen vier Seiten von einem Tor umgeben sind und daher der Strom präzise kontrolliert und mit minimalem Leckstrom durch sie fließen.
Intel hingegen wird 2024 mit der Produktion seiner ersten Transistoren mit Nanoblechkanälen beginnen und dabei den 2-nm-RibbonFET Gate-All-Around (GAA)-Technologieprozess verwenden. Von Anfang an werden sie jeweils über vier Nanoblattkanäle verfügen. Das bedeutet, dass die GateGAA-Transistoren von Intel effizienter sein werden als vergleichbare Transistoren Samsung, können einen höheren Strom leiten und sind energieeffizienter als die Transistoren des südkoreanischen Konkurrenten. Bis dahin wird es noch etwa drei Jahre dauern Samsung wird nicht mit der Produktion von Chips nach dem technischen SF1.4-Verfahren beginnen, was für 2027 erwartet wird. Wie jetzt bekannt wurde, werden sie auch „vierblättrig“ – sie erhalten jeweils vier statt der heutigen drei Kanäle.
Ob es eine andere Sache sein wird Samsung in puncto Herstellbarkeit tatsächlich hinter Intel zurückfallen? Bis dahin wird das südkoreanische Unternehmen über fünf Jahre Erfahrung in der Massenproduktion von GAA-Transistoren verfügen, während Intel ein Newcomer bleiben wird. Und bei der Herstellung solcher Transistoren ist nicht alles einfach, denn Samsung setzt dieses technische Verfahren sehr, sehr gezielt ein. In jedem Fall wird der Übergang zu einer neuen Transistorarchitektur einen bedeutenden Durchbruch für die Halbleiterindustrie darstellen und es ermöglichen, die Grenze zu überwinden, ab der die traditionelle Halbleiterproduktion für einige Jahre nicht mehr auf dem neuesten Stand des Fortschritts sein wird .
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