Samsung gab den Beginn der Massenproduktion von 16-Gigabit-DDR5-DRAM-Speicher bekannt, der den branchenweit fortschrittlichsten technologischen Prozess der 12-Nanometer-Klasse nutzt. Die Fertigstellung des modernsten Produktionsprozesses bestätigt einmal mehr die Führungsrolle des Unternehmens Samsung im Bereich fortschrittlicher DRAM-Technologien.
Im Vergleich zur Vorgängergeneration der neue RAM Samsung DDR5-DRAM der 12-nm-Klasse reduziert den Stromverbrauch um 23 % und erhöht gleichzeitig die Wafer-Leistung um 20 %. Die hervorragende Energieeffizienz macht es zu einer idealen Lösung für globale IT-Unternehmen, die den Energieverbrauch und den COXNUMX-Fußabdruck ihrer Server und Rechenzentren reduzieren möchten.
Entwicklung Samsung Möglich wird die 12-nm-Prozesstechnologie durch den Einsatz eines neuen Materials mit hoher Leitfähigkeit, das zur Erhöhung der Kapazität der Zellen beiträgt. Die hohe Kapazität führt zu einem erheblichen Unterschied der elektrischen Potentiale in den Datensignalen, was ihre genaue Unterscheidung erleichtert. Die Bemühungen des Unternehmens, die Betriebsspannung zu reduzieren und den Lärm zu reduzieren, trugen auch dazu bei, die optimale Lösung zu schaffen, die die Kunden brauchten.
Mit einer maximalen Geschwindigkeit von 7,2 Gigabit pro Sekunde, was bedeutet, dass zwei 30-GB-UHD-Filme in etwa einer Sekunde verarbeitet werden können, wird die 5-nm-DDR12-DRAM-Reihe von Samsung eine wachsende Liste von Anwendungen unterstützen, darunter Rechenzentren, künstliche Intelligenz und Computing der nächsten Generation.
Im vergangenen Dezember hat Samsung die Tests seines 16-Gigabit-DDR5-DRAM auf Kompatibilität mit AMD abgeschlossen und arbeitet weiterhin mit globalen IT-Unternehmen zusammen, um Innovationen auf dem DRAM-Markt der nächsten Generation voranzutreiben.
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