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Samsung Elektronik ist ein Technologiegigant, der Trends in der Elektronik diktiert. Galaxy-Smartphones sind ein gutes Beispiel für die Errungenschaften des Unternehmens in den Bereichen Displays, Hardware, Batterien und mehr. Allerdings Geschäftsstrategie Samsung ist nicht auf Mobilgeräte beschränkt.
Das nächste beeindruckende Projekt des Unternehmens umfasst die Entwicklung der branchenweit ersten 512-GB-DDR5-Speichermodule auf Basis der High-K Metal Gate (HKMG)-Technologie. Diese Produktionstechnologie garantiert die doppelte Leistung von DDR4-RAM, der 7200 Mbit/s erreicht.
Die neue RAM-Generation DDR5 von Samsung entwickelt unter Berücksichtigung der spezifischen Bedürfnisse von Supercomputern, Systemen der künstlichen Intelligenz und des maschinellen Lernens sowie für die Verarbeitung von Forschungsdatenbanken.
Zur Zeit Samsung ist der einzige Hersteller, der über die notwendigen Ressourcen und Fähigkeiten verfügt, um HKMG zu integrieren, um DRAM-Speicher zu erstellen. Traditionell wird diese Technologie zur Herstellung von Halbleitern verwendet, aber es ist jetzt möglich, DDR5-RAM herzustellen. Samsung verspricht nicht nur eine höhere Leistung, sondern auch eine zweistellige Reduzierung des Energieverbrauchs.
Tests zeigen, dass DDR5-basierte Rechenzentren mit HKMG-Technologie bei voller Geschwindigkeit arbeiten und dabei etwa 15 % weniger Strom verbrauchen. Jede Optimierung, die den Energiebedarf reduziert, ist für Serverkonfigurationen von entscheidender Bedeutung.
Der HKMG-Prozess wurde erstmals 6 bei der Erstellung von GDDR2018-Speicher verwendet. Das Unternehmen weitet die Möglichkeiten dieses innovativen Verfahrens nun auf DDR5-RAM aus. In diesem Fall können Sie mit der "Trough-Silicon Via" (TSV)-Technologie acht Schichten von 16 GB DRAM mit einer Gesamtkapazität von 512 GB platzieren.
Nun, jetzt reicht Chrome definitiv aus.
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