.){kind=link}
Η Micron Technology ανακοίνωσε την έναρξη της μαζικής παραγωγής και παράδοσης τσιπ μνήμης 16 gigabit DDR5 κατασκευασμένα σύμφωνα με την πιο προηγμένη τεχνολογική διαδικασία του κατασκευαστή - 1β (1-beta). Με βάση αυτή τη μνήμη, μπορούν να δημιουργηθούν μονάδες RAM για διακομιστές και προσωπικούς υπολογιστές με ταχύτητα έως 7200 MT/s.
Εταιρία δηλώνει, ότι η μετάβαση στη διαδικασία 1β με προηγμένη τεχνολογία High-K CMOS, τετραφασική ρύθμιση συχνότητας ρολογιού και συγχρονισμό ρολογιού επέτρεψε 50% αύξηση στην απόδοση και 33% αύξηση στην ενεργειακή απόδοση ανά watt σε σύγκριση με την προηγούμενη γενιά μνήμης .
Καθώς ο αριθμός των πυρήνων της CPU αυξάνεται για να ανταποκριθεί στις αυξανόμενες απαιτήσεις του φόρτου εργασίας των κέντρων δεδομένων, αυξάνεται και η ανάγκη για περισσότερη μνήμη υψηλής χωρητικότητας και υψηλού εύρους ζώνης. Έως και 5 MT/s DDR7200 DRAM μνήμη που βασίζεται στην τεχνολογία διεργασίας 1β της Micron επιτρέπει κλιμακωτούς υπολογιστές με υψηλότερη απόδοση για τομείς όπως η εκμάθηση και η ενσωμάτωση της τεχνητής νοημοσύνης (AI), η γενετική τεχνητή νοημοσύνη, η ανάλυση δεδομένων και οι βάσεις δεδομένων στη μνήμη (IMDB) σε κέντρα επεξεργασίας δεδομένων και σε πλατφόρμες πελατών.
Τα νέα τσιπ μνήμης της Micron είναι διαθέσιμα σε χωρητικότητες 16, 24 και 32 Gbit (2, 3 και 4 GB) και προσφέρουν ταχύτητες λειτουργίας από 4800 έως 7200 MT/s. Η νέα μνήμη θα είναι διαθέσιμη τόσο στο τμήμα διακομιστή όσο και στους καταναλωτές. Η Micron σχεδιάζει να επεκτείνει τη χρήση της προηγμένης διαδικασίας 1β στην παραγωγή κρυστάλλων μνήμης LPDDR5x, GDDR7 και ακόμη και HBM3e, σημειώνει ο κατασκευαστής.
Διαβάστε επίσης:
- Samsung ετοιμάζεται για κυκλοφορία μονάδες μνήμης DDR5 με όγκο 1 TB
- Η SK hynix κυκλοφορεί τα πρώτα τσιπ κινητών 24 GB LPDDR5X στον κόσμο