Samsung Ηλεκτρονική παρουσίασε τα πιο ευρύχωρα τσιπ μνήμης 12nm DDR5 DRAM 32Gb της βιομηχανίας, τα οποία λέει ότι είναι ιδανικά για την εποχή της τεχνητής νοημοσύνης. Πριν από αυτό, η εταιρεία μπορούσε να παράγει τσιπ 32 Gbit μόνο με TSV τοποθέτηση κρυστάλλων 16 Gbit το ένα πάνω στο άλλο. Η κυκλοφορία "μονοκόμματων" τσιπ 32 Gb DDR5 στην ίδια συσκευασία με τσιπ 16 Gb θα μειώσει την κατανάλωση και θα ανοίξει το δρόμο σε πολλά υποσχόμενες μονάδες μνήμης 1 TB.
Σύμφωνα με εκτιμήσεις SamsungΤα τσιπ DDR5 με διπλάσια χωρητικότητα θα παρέχουν 10% χαμηλότερη κατανάλωση μονάδων DDR128 5 GB. Είναι ενδιαφέρον ότι η εταιρεία ανακοίνωσε την έναρξη της παραγωγής DRAM 12 nm 16 Gbit DDR5 DRAM πολύ πρόσφατα - τον Μάιο του τρέχοντος έτους. Η τρέχουσα ανακοίνωση δεν σημαίνει άμεση έναρξη στη μαζική παραγωγή τσιπ 32 Gbit. Η εταιρεία υπόσχεται να ξεκινήσει την παραγωγή της μόνο στο τέλος του τρέχοντος έτους. Η αύξηση της χωρητικότητας των σειριακά παρεχόμενων τσιπ στα 32 Gbit θα επιτρέψει στους κατασκευαστές μνήμης να προχωρήσουν στην κυκλοφορία μαζικών μονάδων DDR5 με όγκο 64 GB και μοντέλων διακομιστών με όγκο έως 1 TB.
«Δημιουργώντας 12nm DRAM κατηγορίας 32 Gb, παρέχουμε μια λύση που θα επιτρέψει την παραγωγή μονάδων DRAM έως 1 TB, που μας δίνει την τέλεια ευκαιρία να ανταποκριθούμε στην αυξανόμενη ζήτηση για DRAM υψηλής χωρητικότητας στην εποχή της τεχνητής νοημοσύνης και των μεγάλων δεδομένα", είπε ο Sun. Jun Hwang, εκτελεστικός αντιπρόεδρος του τμήματος DRAM Product & Technology της εταιρείας Samsung ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΙΔΗ. «Θα συνεχίσουμε να αναπτύσσουμε λύσεις DRAM που βασίζονται σε διαφοροποιημένες διαδικασίες παραγωγής και τεχνολογίες σχεδιασμού για να ξεπεράσουμε τα όρια της τεχνολογίας μνήμης».
Επί του παρόντος, οι κατασκευαστές μνήμης όπως η SK hynix και η Micron προσφέρουν μόνο τσιπ 24 Gb DDR5, τα οποία επιτρέπουν μαζικές μονάδες έως 96 GB, αλλά Samsung καταλαμβάνει μια βαθμίδα χωρητικότητας, προσφέροντας μια τρίτη πιο πυκνή λύση. Ωστόσο, η Micron έχει επίσης επιβεβαιώσει την εργασία σε τσιπ 5Gb DDR32 στον οδικό της χάρτη, αν και δεν έχουν ακόμη ανακοινωθεί επίσημα.
Για την ιστορία του Samsung επέκτεινε τα όρια της μνήμης RAM κατά 500 φορές. Η εταιρεία παρουσίασε την πρώτη της μνήμη (64 Kbit) το 1983. Τα τελευταία 40 χρόνια, αύξησε τη χωρητικότητα των μικροκυκλωμάτων κατά απίστευτες φορές, κάτι που εκείνη την εποχή λίγοι άνθρωποι μπορούσαν καν να σκεφτούν.
Διαβάστε επίσης:
- Η SK hynix έχει αναπτύξει την ταχύτερη μνήμη στον κόσμο – HBM3E με ταχύτητα 1,15 TB/s
- Huawei χτίζει ένα μυστικό δίκτυο εργοστασίων τσιπ υπό κυρώσεις