Samsung Ηλεκτρονική σκοπεύει να απελευθερώσει 1 TB μνήμης DDR5 σε μία μονάδα χάρη σε μια σημαντική ανακάλυψη στην κατασκευή DRAM.
Νοτιοκορεατική εταιρεία αναπτηγμένος η πρώτη μνήμη RAM DDR32 5 gigabit (GB) της βιομηχανίας μνήμης με την υψηλότερη χωρητικότητα, χρησιμοποιώντας διαδικασία 12 nm. Χάρη σε αυτό Samsung θα μπορεί να παράγει μονάδες μνήμης 5 TB DDR1, αλλά υπάρχει ένα άλλο πλεονέκτημα από τη μετάβαση σε 32 GB DRAM. Σε σύγκριση με τις υπάρχουσες μονάδες DDR5 DRAM 16 GB που κατασκευάζονται με τη διαδικασία των 12 nm, η κατανάλωση ενέργειας των μονάδων 128 GB θα μειωθεί κατά 10%.
Σύμφωνα με τον Sang-Joon Hwan, αντιπρόεδρο προϊόντων και τεχνολογίας DRAM στο Samsung Ηλεκτρονικά, αρχικά οι κύριοι καταναλωτές αυτής της μνήμης θα είναι τα κέντρα δεδομένων, η τεχνητή νοημοσύνη και τα μεγάλα δεδομένα: «Χάρη στα 32 gigabyte μνήμης DRAM της κατηγορίας 12 nm, έχουμε αποκτήσει μια λύση που θα μας επιτρέψει να δημιουργήσουμε μονάδες DRAM με όγκο έως 1 TB, που θα μας επιτρέψει να είμαστε σε ιδανική θέση για να ανταποκριθούμε στην αυξανόμενη ανάγκη για RAM υψηλής χωρητικότητας στην εποχή της τεχνητής νοημοσύνης και των μεγάλων δεδομένων… Θα συνεχίσουμε να αναπτύσσουμε λύσεις DRAM χρησιμοποιώντας διαφοροποιημένες διαδικασίες παραγωγής και Σχεδιάστε τεχνολογίες για να ξεπεράσετε τα όρια της τεχνολογίας μνήμης».
Περισσότερη μνήμη σε λιγότερο χώρο με λιγότερη κατανάλωση ενέργειας θα είναι πάντα δημοφιλής στους χειριστές των κέντρων δεδομένων. Ωστόσο, αυτή η τεχνολογία μνήμης θα πρέπει τελικά να μεταφερθεί στις μονάδες DDR5 που χρησιμοποιούνται στους επιτραπέζιους και φορητούς υπολογιστές μας. Επί του παρόντος, τα κιτ μνήμης 192 GB που αποτελούνται από τέσσερις μονάδες φαίνεται να είναι το υψηλότερο επίπεδο για τους καταναλωτές.
Διαβάστε επίσης: