Samsung amplía su cartera GDDR6 con un nuevo módulo capaz de transferir datos a 24 Gbps por pin. Está destinado principalmente a tarjetas gráficas de alto rendimiento y aceleradores de inteligencia artificial (IA), pero la compañía también lanzará variantes de bajo consumo para otras aplicaciones.
Samsung ha anunciado la primera RAM GDDR6 de la industria con este ancho de banda, que se utilizará en las tarjetas gráficas de próxima generación de Nvidia y AMD, así como en computadoras portátiles, consolas de juegos y aceleradores de inteligencia artificial para centros de datos.
El gigante tecnológico coreano dice que ya comenzó las pruebas internas de los nuevos chips de memoria de 16 GB, y sus clientes comenzarán las pruebas a finales de este mes. Además, la disponibilidad comercial estará vinculada a futuras versiones de GPU, por lo que pronto veremos GDDR6 de 24 Gb/s en nuevos productos.
Uno de los beneficios obvios de este nuevo módulo GDDR6 es que puede ofrecer velocidades un 30 % más rápidas en comparación con el módulo anterior de 18 Gbps de Samsung. En otras palabras, una tarjeta gráfica premium con todas las funciones podrá proporcionar un ancho de banda de memoria de hasta 1,1 Tbit/s, lo que equivale a transferir 275 películas de 1080p en un segundo.
A diferencia de GDDR6X, que fue desarrollado por Micron en colaboración con Nvidia, la nueva DRAM GDDR6 de Samsung cumple totalmente con las especificaciones JEDEC. También se espera que consuma menos energía debido al uso de la tecnología de persianas metálicas de alta k. Esto también significa que ofrecerá velocidades de reloj más bajas que GDDR6X, pero, al mismo tiempo, un mejor rendimiento y será más económico de fabricar.
Hablando de fabricación, Samsung está creando una nueva línea de GDDR6 en un nodo de 10nm (1z). Y aunque la compañía se enfoca principalmente en GPU y aceleradores de IA con la nueva tecnología. También lanzará variantes de 20 Gbps y 16 Gbps para aplicaciones de bajo consumo. Para hacerlo, Samsung también utiliza tecnología de cambio de voltaje dinámico que puede ajustar el voltaje de 1,1 V a 1,35 V para aumentar la eficiencia energética en un 20 % cuando sea necesario.
Samsung cree que el mercado de gráficos de alto rendimiento experimentará un crecimiento saludable de dos dígitos en los próximos años. La compañía quiere una gran parte de este pastel en constante crecimiento, por lo que está haciendo todo lo posible para vencer a TSMC en la carrera por desarrollar tecnologías avanzadas de fabricación de chips.
El mes pasado, la empresa inició la producción de chips utilizando el proceso de 3 nm en sus instalaciones de Hwaseong. Queda por ver si eso será suficiente para interesar a Nvidia, pero Samsung sigue siendo el líder mundial en DRAM con una participación de mercado de casi el 44%.
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