A medida que los fabricantes continúan exprimiendo hasta la última gota de rendimiento de los módulos de memoria GDDR6 y GDDR6X actuales, Samsung ha anunciado un miembro nuevo y mejorado de la familia: GDDR6W. Samsung afirma que GDDR6W puede competir con HBM2 en términos de ancho de banda y rendimiento.
En 2016, Samsung y otros fabricantes comenzaron a lanzar un sucesor de los rápidos (pero imperfectos) módulos de memoria de alta velocidad (HBM). La memoria de alta velocidad 2 (HBM2) parecía resolver todos los problemas de la generación anterior, aumentando la capacidad, la velocidad y el ancho de banda. Desafortunadamente, HBM2 nunca tuvo mucho éxito en el mercado de gráficos de escritorio.
Las líneas de tarjetas Fury y Vega usaban HBM y HBM2 respectivamente. Desafortunadamente, cada uno de ellos falló y AMD una vez más volvió a la memoria GDDR6, comenzando con la línea RX 5000. Algunos usuarios estaban comprensiblemente decepcionados por el rápido abandono de HBM2.
Fue aquí donde la compañía Samsung mostró su última novedad en la familia GDDR6: GDDR6W. El gigante tecnológico de Corea del Sur quería llevar algunos de los beneficios de HBM2 a la ya exitosa plataforma GDDR6, especialmente el aumento del ancho de banda. A juzgar por los detalles y números proporcionados por Samsung, GDDR6W podría cambiar las reglas del juego en futuras GPU.
Samsung está poniendo mucho énfasis en la realidad virtual y las aplicaciones del metauniverso. Sin embargo, no hay razón para creer que GDDR6W no brindará beneficios a las futuras tarjetas gráficas discretas en general.
Samsung comenzó tomando una plataforma GDDR6 existente e implementando lo que llama Empaquetado de nivel de oblea de salida de abanico (FOWLP). En lugar de colocar los troqueles de memoria en la placa de circuito impreso, se montan directamente en la oblea de silicio. Las capas de redistribución proporcionan un “circuito más delgado” y dado que la PCB no está involucrada, los módulos serán más delgados en general y tendrán una mejor disipación de calor.
“Debido a que se puede alojar el doble de chips de memoria en un paquete de tamaño idéntico, la capacidad de DRAM de gráficos aumentó de 16 GB a 32 GB, y el ancho de banda y las E/S se duplicaron de 32 a 64. En otras palabras, el área requerida para la memoria , ha disminuido en un 50% en comparación con los modelos anteriores”, dice el comunicado de prensa.
Gracias a tales cambios en la ubicación de los módulos y el tamaño total del cristal, GDDR6W se ha vuelto un 36 % más corto que su contraparte GDDR6. Gracias a la huella sin cambios, estos módulos se pueden “implementar en los mismos procesos de fabricación” utilizados en los productos GDDR6 actuales.
Como puede ver arriba, el ancho de banda de GDDR6W está muy cerca del ancho de banda de las matrices HBM2E. El límite de ancho de banda actual de GDDR6X es de alrededor de 1 TB por segundo, mientras que GDDR6W lo supera significativamente con alrededor de 400 MB/s.
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