Se espera que Samsung anuncie la producción en masa de chips de 3 nm la próxima semana, según Yonhap News. Esto significa que la empresa estará por delante de TSMC, que se espera que comience la producción de chips de 3 nm en la segunda mitad de este año.
En comparación con el proceso de 5 nm utilizado en Snapdragon 888 y Exynos 2100, el nodo Samsung de 3 nm reducirá el área en un 35 %. Aumentará la productividad en un 30 % y reducirá el consumo de energía en un 50 %.
Esto se logrará a través de la transición al diseño de transistor Gate-All-Around (GAA). Este es el siguiente paso después de FinFET. Ya que permite reducir el tamaño de los transistores sin comprometer su capacidad para conducir corriente. El diseño GAAFET utilizado en el nodo de 3 nm se muestra en la siguiente figura.
El mes pasado, el presidente de EE. UU., Joe Biden, visitó la planta de Samsung en Penthek para participar en una demostración de la tecnología de 3 nm de Samsung. El año pasado se habló de que la empresa podría invertir 10.000 millones de dólares en la construcción de una planta de 3 nm en Texas. Estas inversiones han crecido a $ 17 mil millones. Se espera que la planta comience a operar en 2024.
En cualquier caso, la mayor preocupación al crear un nuevo nodo es la salida. En octubre del año pasado, Samsung dijo que el rendimiento del proceso de 3 nm “se acerca a un nivel similar al del proceso de 4 nm”. Aunque la compañía no ha proporcionado cifras oficiales, los analistas creen que el nodo de 4 nm de Samsung estuvo asociado con problemas de producción.
El nodo de 3 nm de la segunda generación se espera para 2023, y la hoja de ruta de la compañía también incluye un nodo de 2 nm basado en MBCFET en 2025.
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