Samsung شروع تولید انبوه حافظه DRAM 16 گیگابیتی DDR5 را اعلام کرد که از پیشرفته ترین فرآیند تکنولوژیکی صنعت در کلاس 12 نانومتری استفاده می کند. تکمیل مدرن ترین فرآیند تولید بار دیگر رهبری این شرکت را تایید می کند Samsung در زمینه فناوری های پیشرفته DRAM.
در مقایسه با نسل قبلی، رم جدید Samsung DRAM کلاس 5 نانومتری DDR12 مصرف انرژی را تا 23 درصد کاهش می دهد در حالی که عملکرد ویفر را 20 درصد افزایش می دهد. بهره وری انرژی فوق العاده آن را به یک راه حل ایده آل برای شرکت های جهانی فناوری اطلاعات تبدیل می کند که به دنبال کاهش مصرف انرژی و ردپای کربن سرورها و مراکز داده خود هستند.
توسعه Samsung فناوری فرآیند 12 نانومتری با استفاده از یک ماده جدید با رسانایی بالا امکان پذیر شده است که به افزایش ظرفیت سلول ها کمک می کند. ظرفیت خازنی بالا منجر به تفاوت قابل توجهی در پتانسیل های الکتریکی در سیگنال های داده می شود که تشخیص دقیق آنها را آسان تر می کند. تلاش های شرکت برای کاهش ولتاژ عملیاتی و کاهش نویز نیز به ایجاد راه حل بهینه مورد نیاز مشتریان کمک کرد.
با حداکثر سرعت 7,2 گیگابیت در ثانیه، یعنی دو فیلم 30 گیگابایتی UHD را می توان در حدود یک ثانیه پردازش کرد، خط 5 نانومتری DDR12 DRAM سامسونگ از لیست رو به رشدی از برنامه ها، از جمله مراکز داده، هوش مصنوعی و محاسبات نسل بعدی پشتیبانی می کند.
دسامبر گذشته، سامسونگ آزمایش DRAM 16 گیگابیتی DDR5 خود را برای سازگاری با AMD به پایان رساند و به همکاری با شرکت های جهانی فناوری اطلاعات برای ایجاد نوآوری در بازار نسل بعدی DRAM ادامه می دهد.
همچنین بخوانید: