 для обчислень в оперативній пам'яті.){kind=link}
شرکت Samsung اعلام کرد که اولین بار در جهان بود که فناوری MRAM (حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی مغناطیسی) را برای محاسبات درون حافظه نشان داد. مقاله این شرکت با عنوان "دستگاه های مغناطیسی مقاومتی متقابل برای محاسبات درون حافظه" در مجله Nature منتشر شد.
داده ها معمولاً در DRAM پرسرعت پردازنده ذخیره می شوند. با این حال، MRAM وضعیت را تغییر می‌دهد و ذخیره‌سازی و محاسبات داده را یکپارچه می‌کند و اجازه می‌دهد هر دو روی یک تراشه اتفاق بیفتند. از نظر تئوری، عملیات در این مورد بسیار سریعتر انجام می شود، زیرا نیازی به انتقال داده از حافظه پردازنده و بالعکس نیست. علاوه بر این، صرفه جویی قابل توجهی در برق حاصل می شود، زیرا پردازش داده ها در حافظه به روشی بسیار موازی انجام می شود.
این نمایش یک پیشرفت بزرگ است زیرا، در حالی که سایر راه حل های محاسباتی در حافظه مانند PRAM و RRAM قبلاً نشان داده شده اند، دستیابی به MRAM کار بسیار دشوار است، عمدتاً به دلیل مقاومت کم آن. همچنین بهره برداری از مزیت بهره وری توان MRAM در معماری محاسباتی درون حافظه استاندارد غیرممکن بود.
شرکت Samsung MRAM را با یک تراشه آرایه MRAM اختصاصی که از Resistance Sum به جای Current-Sum استاندارد برای حل مشکل مقاومت استفاده می کند، امکان پذیر کرد.
این راه حل با استفاده از برنامه های کاربردی هوش مصنوعی (AI) آزمایش شد و 98 درصد دقت در طبقه بندی ارقام دست نویس و 93 درصد دقت در تشخیص چهره در تصاویر را نشان داد. Samsung ادعا می کند که فناوری MRAM می تواند برای پردازش هوش مصنوعی و ایجاد تراشه های هوش مصنوعی با کارایی بالا استفاده شود.
دکتر سونچول یونگ، نویسنده اول مقاله، گفت: «محاسبات در حافظه شبیه مغز است به این معنا که در مغز، محاسبات در شبکه‌های حافظه بیولوژیکی یا سیناپس‌ها نیز انجام می‌شود – نقاطی که نورون‌ها یکدیگر را لمس می‌کنند. در واقع، اگرچه محاسبات انجام شده توسط شبکه MRAM ما هدف متفاوتی با محاسبات انجام شده توسط مغز در حال حاضر دارد، چنین شبکه حافظه حالت جامد ممکن است در آینده به عنوان بستری برای شبیه سازی مغز با شبیه سازی ارتباطات استفاده شود. سیناپس های مغز."
همچنین بخوانید: