شرکت Samsung الکترونیک از آغاز تولید انبوه اولین سیستم تک کریستالی سیستم روی تراشه (SoC, جزئیات را اینجا بخوانید) در فرآیند 10 نانومتری FinFET.
10 نانومتر در حال حاضر در بازار موجود است
یون شی یون، معاون اجرایی، رئیس بخش تولید نیمه هادی ها گفت: اولین راه حل FinFET 10 نانومتری تولید انبوه در بازار، رهبری ما را در توسعه فناوری های پیشرفته تأیید می کند. Samsung الکترونیک. - ما تمام تلاش خود را برای ایجاد فناوری های مقیاس پذیر نوآورانه و ارائه راه حل های یکپارچه متمایز به کاربران ادامه خواهیم داد.
پردازنده جدید Samsung FinFET 10 نانومتری (10LPE) دارای ساختار سه بعدی ترانزیستوری پیشرفته است. فناوری عملیاتی و طراحی آن نسبت به نسخه 3 نانومتری قبلی بهبود یافته است و 14 درصد بازده سطح ویژه بالاتر، 30 درصد عملکرد بالاتر و 40 درصد مصرف انرژی کمتر را ارائه می دهد. برای حذف محدودیت های مقیاس بندی، راه حل جدید از آخرین راه حل فنی - ساختار سه گانه استفاده می کند. این مسیریابی دو طرفه را برای پشتیبانی از انعطاف پذیری بیشتر در طراحی و مسیریابی در مقایسه با مدل های قبلی ارائه می دهد.
قبل از Samsung اولین نسل از راه حل ها را برای فرآیند تکنولوژیکی 10 نانومتری (10LPE) ارائه کرد. نسل دوم (10LPP) عملکرد بهتری داشته است، شروع تولید انبوه آن برای نیمه دوم سال 2017 برنامه ریزی شده است.
در همکاری نزدیک با شرکا Samsung همچنین قصد دارد یک اکوسیستم نیمه هادی کاربردی ایجاد کند که جریان مرجع، IP و ابزارهای تأیید کتابخانه را یکپارچه کند. یک کیت توسعه تولید (PDK) و یک کیت توسعه IP در حال حاضر برای راه اندازی معماری موجود است.
سیستم SoC 10 نانومتری از اوایل سال آینده در دستگاه های دیجیتال استفاده خواهد شد. انتظار می رود که آنها در طول سال 2017 در دسترس مصرف کنندگان انبوه قرار گیرند. می توانید در مورد این شرکت اطلاعات بیشتری کسب کنید برخط .