Toissapäivänä divisioonan varapuheenjohtaja Samsung sopimussirun valmistuksesta Jeon Gi-tae The Elec -julkaisun haastattelussa raportoitu, että tulevassa teknologisessa prosessissa SF1.4 (luokka 1,4 nm) transistoreiden kanavien määrä nostetaan kolmesta neljään, mikä tuo konkreettisia etuja suorituskyvyn ja energiankulutuksen suhteen. Tämä tapahtuu kolmen vuoden kuluttua Intelin vastaavien transistorien julkaisusta, mikä pakottaa Samsung tavoittaa kilpailijan.
Yhtiö Samsung oli ensimmäinen, joka tuotti transistoreita, joissa on hila, joka ympäröi kokonaan transistoreiden kanavat (SF3E). Tämä tapahtui yli vuosi sitten ja sitä käytetään melko valikoivasti. Esimerkiksi tällaista 3 nm:n prosessia käytetään tuottamaan siruja kryptovaluutan kaivostyötä varten. Transistoreiden kanavat uudessa teknologisessa prosessissa ovat ohuita nanolevyjä, jotka on sijoitettu päällekkäin. Transistoreissa Samsung kolme tällaista kanavaa, joita ympäröi portti kaikilta neljältä sivulta ja siksi virta kulkee niiden läpi tarkasti ohjattuna minimaalisella vuodolla.
Intel sitä vastoin aloittaa ensimmäisten nanolevykanavien transistoreiden valmistuksen vuonna 2024 käyttämällä 2 nm:n RibbonFET Gate-All-Around (GAA) -teknologiaprosessia. Heillä on alusta alkaen neljä nanoarkkikanavaa jokaisessa. Tämä tarkoittaa, että Intelin GateGAA-transistorit ovat tehokkaampia kuin vastaavat transistorit Samsung, pystyy läpäisemään suuremman virran ja ovat energiatehokkaampia kuin eteläkorealaisen kilpailijan transistorit. Se kestää noin kolme vuotta, kunnes Samsung ei aloita sirujen tuotantoa SF1.4:n teknisellä prosessilla, jonka odotetaan olevan vuonna 2027. Kuten nyt on tullut tunnetuksi, niistä tulee myös "nelilehtisiä" - ne saavat kukin neljä kanavaa nykyisen kolmen sijaan.
Onko se sitten toinen asia Samsung jääkö todella jälkeen Intelin valmistettavuuden suhteen? Siihen mennessä eteläkorealaisella yrityksellä on viiden vuoden kokemus GAA-transistorien massatuotannosta, kun taas Intel pysyy uutena tulokkaana. Ja tällaisten transistorien valmistuksessa kaikki tuskin on yksinkertaista, koska Samsung käyttää tätä teknistä prosessia hyvin, hyvin valikoivasti. Joka tapauksessa siirtyminen uuteen transistoriarkkitehtuuriin on merkittävä läpimurto puolijohdeteollisuudelle ja mahdollistaa sen rajan siirtämisen, jonka yli perinteinen puolijohdetuotanto ei ole enää muutaman vuoden ajan kehityksen kärjessä. .
Lue myös:
- Arvostelu Samsung Galaxy Fold5: päivitetty, lippulaiva, taitettava
- Yleiskatsaus Intel Core 14. sukupolven prosessoreihin: mikä on mielenkiintoista ja kenelle hyötyä?