Samsung on juuri saavuttanut tärkeän virstanpylvään uuden sukupolven RAM-muistin kehittämisessä tietokoneille ja mobiililaitteille. Yritys toimitti ensimmäiset miljoona 4nm luokan DDR10 DRAM -moduulia, jotka perustuvat äärimmäiseen UV-prosessiin. Seuraavan sukupolven litografiatekniikoiden pitäisi auttaa Samsung voittaa esteet DRAM-skaalauksessa, mikä vähentää kehitysaikaa ja parantaa suorituskykyä.
Älä kuitenkaan odota, että EUV-pohjainen RAM on kaikkialla pian. SISÄÄN Samsung sillä ei ole toista tehdasta valmistamaan siruja ennen vuoden 2020 toista puoliskoa, ja valmistaja ei odota aloittavansa nopeamman DDR5-muistin massatuotannon ennen vuotta 2021. Tämä on enemmän katsaus RAM:n tulevaisuuteen kuin valmis ratkaisu juuri nyt.