Yhtiö Samsung Elektroniikka ilmoitti aloittavansa ensimmäisen markkinoiden yksikidejärjestelmän System-on-Chip (SoC, lue yksityiskohdat täältä) 10 nm:n FinFET-prosessissa.

10 nanometriä on jo markkinoilla

"Ensimmäinen markkinoilla oleva massatuotannon 10 nm:n FinFET-ratkaisu vahvistaa johtavaa asemaamme edistyneiden teknologioiden kehittämisessä", sanoi Yeon Shi-yun, varatoimitusjohtaja, puolijohteiden valmistusdivisioonan johtaja. Samsung Elektroniikka. - Teemme jatkossakin kaikkemme luodaksemme innovatiivisia skaalautuvia teknologioita ja tarjotaksemme käyttäjille erilaisia ​​integroituja ratkaisuja."

Uusi prosessori Samsung 10nm FinFET (10LPE) on edistynyt transistori 3D-rakenne. Sen toimintatekniikkaa ja muotoilua on parannettu edelliseen 14 nm:n versioon verrattuna, mikä tarjoaa 30 % paremman ominaispinnan hyötysuhteen, 40 % paremman suorituskyvyn ja 40 % pienemmän virrankulutuksen. Skaalausrajoitusten poistamiseksi uusi ratkaisu käyttää uusinta teknistä ratkaisua – kolminkertaista strukturointia. Se tarjoaa kaksisuuntaisen reitityksen, joka tukee suunnittelun ja reitityksen joustavuutta aiempiin malleihin verrattuna.

Ennen Samsung esitteli ensimmäisen sukupolven ratkaisuja 10 nm:n teknologiselle prosessille (10LPE). Toisen sukupolven (10LPP) suorituskyky on parantunut, ja sen massatuotannon on määrä alkaa vuoden 2017 toisella puoliskolla.

Läheisessä yhteistyössä kumppaneiden kanssa Samsung aikoo myös luoda toimivan puolijohdeekosysteemin, joka yhdistää viitevirran, IP:n ja kirjaston varmennustyökalut. Tuotantokehityspaketti (PDK) ja IP-kehityspaketti ovat tällä hetkellä saatavilla arkkitehtuurin käynnistämiseksi.

10 nm:n SoC-järjestelmää käytetään digitaalisissa laitteissa ensi vuoden alusta. Niiden odotetaan tulevan massakuluttajien saataville vuoden 2017 aikana. Voit oppia lisää yrityksestä verkossa .