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Samsung L'électronique est un géant de la technologie qui dicte les tendances de l'électronique. Les smartphones Galaxy sont un bon exemple des réalisations de l'entreprise en matière d'écrans, de matériel, de batteries, etc. Cependant, la stratégie commerciale Samsung ne se limite pas aux appareils mobiles.
Le prochain projet impressionnant de la société implique le développement des premiers modules de mémoire DDR512 de 5 Go de l'industrie basés sur la technologie High-K Metal Gate (HKMG). Cette technologie de production garantira le double des performances de la RAM DDR4, qui atteint 7200 Mbit/s.
La nouvelle génération de RAM DDR5 de Samsung développé en tenant compte des besoins spécifiques des supercalculateurs, des systèmes d'intelligence artificielle et d'apprentissage automatique, ainsi que pour le traitement des bases de données de recherche.
Actuellement Samsung est le seul fabricant qui dispose des ressources et des capacités nécessaires pour intégrer HKMG afin de créer de la mémoire DRAM. Traditionnellement, cette technologie est utilisée pour créer des semi-conducteurs, mais il est maintenant possible de produire de la RAM DDR5. Samsung promet non seulement des performances supérieures, mais également une réduction à deux chiffres de la consommation d'énergie.
Les tests montrent que les centres de données basés sur DDR5 avec la technologie HKMG fonctionnent à pleine vitesse en utilisant environ 15 % d'énergie en moins. Toute optimisation qui réduit l'énergie requise est essentielle pour les configurations de serveur.
Le processus HKMG a été utilisé pour la première fois dans la création de la mémoire GDDR6 en 2018. La société étend désormais les capacités de ce processus innovant à la RAM DDR5. Dans ce cas, la technologie "Trough-Silicon Via" (TSV) permet de placer huit couches de DRAM de 16 Go avec une capacité totale de 512 Go.
Eh bien, maintenant, Chrome est définitivement suffisant.
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