Vállalat micron Technology bejelentette a világ első 176 rétegű flash memóriájának szállításának megkezdését 3D NAND. A gyártó szerint a fejlett architektúra alkalmazása "radikális áttörést" tett lehetővé, nemcsak a tárolási sűrűséget, de a teljesítményt is jelentősen növelve. Az új memória az adatközpontok, intelligens perifériák és mobileszközök tárolójában talál majd alkalmazásokat.
Az újdonság a 3D NAND ötödik generációja és az RG (replacement-gate) architektúra második generációja, amely technológiailag a legfejlettebb a piacon elérhető fejlesztések közül. A Micron által gyártott 3D NAND előző generációjához képest az olvasási és írási késések több mint 35%-kal csökkentek. További előny a kompakt kialakítás – a 176 rétegű memória körülbelül 30%-kal kisebb, mint a kategóriájában a legjobb versenytársaké, így az új memória ideális olyan alkalmazásokhoz, ahol fontos a kis méret.
A Micron ötödik generációs 3D NAND-ja iparágvezető adatátviteli sebességgel is büszkélkedhet, 1600 millió másodpercenkénti (MT/s) adatátviteli sebességgel az Open NAND Flash Interface (ONFI) buszon keresztül, ami 33%-kal gyorsabb, mint az általa elért 1200 MT/s. 96 rétegű és 128 rétegű 3D NAND Micron memóriák az előző generációkból.
A Micron az iparág képviselőivel együttműködve felgyorsítja az új memória bevezetését. A Micron 176 rétegű, háromszintű 3D NAND memóriája sorozatgyártás alatt áll a Micron szingapúri gyárában, és már elérhető az ügyfelek számára, többek között a Crucial fogyasztói szilárdtestalapú meghajtókon keresztül. A vállalat a 2021-es naptári évben további új termékeket vezet be ezen a technológián alapulóan.
Olvassa el még:
- Sony új Airpeak drón projektet jelent be
- Megkezdődött a FeiyuTech AK2000С mobil Steadicam értékesítése Ukrajnában