לפני כמה ימים, סגן נשיא החטיבה Samsung מייצור שבבים חוזה, Jeon Gi-tae בראיון לפרסום The Elec דיווח, כי בתהליך הטכנולוגי העתידי SF1.4 (מחלקה 1,4 ננומטר), מספר הערוצים בטרנזיסטורים יוגדל משלושה לארבעה, מה שיביא יתרונות מוחשיים מבחינת ביצועים וצריכת אנרגיה. זה יקרה שלוש שנים לאחר שחרור הטרנזיסטורים הדומים של אינטל, מה שיכריח Samsung להדביק את המתחרה.
חֶברָה Samsung היה הראשון שיצר טרנזיסטורים עם שער המקיף לחלוטין את הערוצים בטרנזיסטורים (SF3E). זה קרה לפני יותר משנה ונעשה בו שימוש די סלקטיבי. לדוגמה, תהליך מסוג זה של 3 ננומטר משמש לייצור שבבים עבור כורי מטבעות קריפטוגרפיים. ערוצים בטרנזיסטורים בתהליך הטכנולוגי החדש הם יריעות ננו דקות המונחות אחת מעל השנייה. בטרנזיסטורים Samsung שלושה ערוצים כאלה, המוקפים בשער מכל ארבעת הצדדים ולכן הזרם זורם דרכם בשליטה מדויקת עם דליפה מינימלית.
אינטל, להיפך, תתחיל לייצר את הטרנזיסטורים הראשונים שלה עם ערוצי ננו-sheet בשנת 2024 תוך שימוש בתהליך הטכנולוגיה של 2 ננומטר RibbonFET Gate-All-Around (GAA). מלכתחילה יהיו להם ארבעה ערוצי ננו-sheet בכל אחד מהם. המשמעות היא שהטרנזיסטורים GateGAA של אינטל יהיו יעילים יותר מטרנזיסטורים דומים Samsung, יוכלו להעביר זרם גבוה יותר ויהיה חסכוני יותר באנרגיה מהטרנזיסטורים של המתחרה הדרום קוריאנית. זה יימשך כשלוש שנים עד Samsung לא יתחילו לייצר שבבים בתהליך הטכני SF1.4, שצפוי ב-2027. כפי שנודע כעת, הם גם יהפכו ל"ארבע עלים" - הם יקבלו ארבעה ערוצים כל אחד במקום שלושה של היום.
אם זה יהיה עניין אחר Samsung באמת מפגרת מאינטל מבחינת יכולת ייצור? עד אז, לחברה הדרום קוריאנית תהיה ניסיון של חמש שנים בייצור המוני של טרנזיסטורי GAA, בעוד אינטל תישאר חברה חדשה. ועם הייצור של טרנזיסטורים כאלה, הכל בקושי פשוט, כי Samsung משתמש בתהליך הטכני הזה מאוד מאוד סלקטיבי. בכל מקרה, המעבר לארכיטקטורה חדשה של טרנזיסטורים יהווה פריצת דרך משמעותית לתעשיית המוליכים למחצה ויאפשר להעביר את המחסום שמעבר לו ייצור המוליכים למחצה המסורתי כבר לא יהיה בחוד החנית של הקידמה עוד כמה שנים .
קרא גם:
- סקירה Samsung Galaxy Fold5: מעודכן, ספינת דגל, מתקפל
- סקירה כללית של מעבדי Intel Core דור 14: מה מעניין ומי שימושי?