Samsung הודיעה על תחילת הייצור ההמוני של זיכרון DDR16 בנפח 5 גיגה-ביט, העושה שימוש בתהליך הטכנולוגי המתקדם ביותר בתעשייה בדרגת 12 ננומטר. השלמת תהליך הייצור המודרני ביותר מאשרת שוב את מנהיגות החברה Samsung בתחום טכנולוגיות DRAM מתקדמות.
בהשוואה לדור הקודם, ה-RAM החדש Samsung DDR5 DRAM בדרגת 12 ננומטר מפחית את צריכת החשמל ב-23% תוך הגדלת ביצועי פרוסות ב-20%. יעילות אנרגטית יוצאת דופן הופכת אותו לפתרון אידיאלי עבור חברות IT גלובליות המעוניינות להפחית את צריכת האנרגיה וטביעת הרגל הפחמנית של השרתים ומרכזי הנתונים שלהן.
התפתחות Samsung טכנולוגיית תהליך 12 ננומטר מתאפשרת על ידי שימוש בחומר חדש בעל מוליכות גבוהה, המסייע להגדלת קיבולת התאים. הקיבול הגבוה מוביל להבדל משמעותי בפוטנציאלים החשמליים באותות הנתונים, מה שמקל על ההבחנה המדויקת ביניהם. מאמצי החברה להפחית את מתח ההפעלה ולהפחתת הרעש סייעו גם הם ביצירת הפתרון האופטימלי לו נזקקו הלקוחות.
עם מהירות מרבית של 7,2 גיגה-ביט לשנייה, מה שאומר שניתן לעבד שני סרטי UHD בנפח 30GB תוך כשנייה, קו ה-5nm DDR12 DRAM של סמסונג יתמוך ברשימה הולכת וגדלה של יישומים, כולל מרכזי נתונים, בינה מלאכותית ומחשוב הדור הבא.
בדצמבר האחרון, סמסונג השלימה את בדיקת ה-16 גיגה-ביט DDR5 DRAM שלה עבור תאימות ל-AMD וממשיכה לעבוד עם חברות IT גלובליות כדי להניע חדשנות בשוק ה-DRAM של הדור הבא.
קרא גם: