Samsung מכשירי חשמל הציגה את שבבי הזיכרון המרווחים ביותר בתעשייה 12nm DDR5 DRAM 32Gb, שלדבריה מתאימים באופן אידיאלי לעידן הבינה המלאכותית. לפני כן, החברה יכלה לייצר שבבי 32 ג'יגה-ביט רק עם גבישי TSV של 16 ג'יגה-ביט זה על גבי זה. שחרור שבבי DDR32 "מחלק אחד" בנפח 5 ג'יגה-בייט באותה חבילה עם שבבי 16 ג'יגה-בייט יצמצם את הצריכה ותפתח את הדרך למודולי זיכרון מבטיחים של 1 TB.
לפי הערכות Samsung, שבבי DDR5 עם קיבולת כפולה יספקו צריכה נמוכה יותר ב-10% של מודולי DDR128 בנפח 5 GB. מעניין שהחברה הכריזה על תחילת הייצור של 12 ננומטר 16 Gbit DDR5 DRAM ממש לאחרונה - במאי השנה. ההכרזה הנוכחית אינה פירושה השקה מיידית לייצור המוני של שבבי 32 ג'יגה-ביט. החברה מבטיחה להתחיל בייצורם רק בסוף השנה הנוכחית. הגדלת הקיבולת של שבבים המסופקים סדרתית ל-32 ג'יגה-ביט תאפשר ליצרני זיכרון לעבור לשחרור מודולי DDR5 המוניים בנפח של 64 ג'יגה-בייט ודגמי שרתים בנפח של עד 1 טרה-בייט.
"על ידי יצירת 12nm 32Gb class DRAM, סיפקנו פתרון שיאפשר ייצור של מודולי DRAM עד 1TB, מה שנותן לנו את ההזדמנות המושלמת לענות על הדרישה ההולכת וגוברת ל-DRAM בעל קיבולת גבוהה בעידן של בינה מלאכותית ובגדול. נתונים," אמר Sun. Jun Hwang, סגן נשיא בכיר בחטיבת DRAM Product & Technology של החברה Samsung מכשירי חשמל. "נמשיך לפתח פתרונות DRAM המבוססים על תהליכי ייצור מובחנים וטכנולוגיות עיצוב כדי לדחוף את גבולות טכנולוגיית הזיכרון".
נכון לעכשיו, יצרניות זיכרון כמו SK hynix ו-Micron מציעות רק שבבי DDR24 בנפח 5 ג'יגה-בייט, המאפשרים מודולים בנפח של עד 96 ג'יגה-בייט, אך Samsung תופס את הקיבולת מדרגה, ומציע פתרון שלישי צפוף יותר. עם זאת, Micron אישרה גם עבודה על שבבי 5Gb DDR32 במפת הדרכים שלה, אם כי עדיין לא הוכרזו רשמית.
לסיפור שלו Samsung הרחיב את גבולות ה-RAM פי 500. החברה הציגה את הזיכרון הראשון שלה (64 Kbit) בשנת 1983. במהלך 40 השנים האחרונות, היא הגדילה את הקיבולת של מעגלים מיקרוניים במספר מדהים של פעמים, שבאותה תקופה מעטים יכלו אפילו לחשוב עליהם.
קרא גם:
- SK hynix פיתחה את הזיכרון המהיר בעולם - HBM3E עם מהירות של 1,15 TB/s
- Huawei בונה רשת סודית של מפעלי שבבים תחת סנקציות