Samsung הודיעה היום על תחילת ייצור המוני של מה שמאמינים שהוא זיכרון 236D NAND תלת-ממדי בעל 8 שכבות, אותו מכנה החברה דור 2400 V-NAND. השבבים החדשים הם בעלי קצב העברת נתונים של 12 Mbit/s, ובשילוב עם בקר משופר, הם מאפשרים יצירת כונני Solid-State בדרגת לקוח עם קצב העברת נתונים של יותר מ-XNUMX Gbit/s.
מכשיר הדור ה-8 החדש של V-NAND הוא בעל קיבולת של 1 TB (128 GB), אשר Samsung טוען לצפיפות הסיביות הגבוהה ביותר בתעשייה מבלי לחשוף את גודל השבב או הצפיפות בפועל. לשבב יש גם קצב העברת נתונים של 2400 Mbps, שהוא חיוני לכונני PCIe 5.0 x4 Solid State הטובים ביותר, אשר בשילוב עם הבקר המתאים מספקים מהירויות העברת נתונים מהירות בזק של 12,4 Gbps (או יותר!).
Samsung טוען כי הדור החדש של זיכרון NAND 3D יספק ביצועים גבוהים יותר ב-20% לכל רקיק בהשוואה לממשקי פלאש קיימים בעלי אותה קיבולת, מה שיוזיל את עלויות החברה (בהנחה של אותם ביצועים), כלומר, פוטנציאל למחירים נמוכים יותר עבור כונני מצב מוצק.
בינתיים, החברה לא אומרת דבר על הארכיטקטורה של המכשיר, אך בהתבסס על התמונה שסופקה, אנו יכולים להניח שמדובר בשבב NAND תלת מימדי דו-מימדי.
"כאשר הביקוש בשוק לכונני אחסון צפופים יותר, בעלי קיבולת גבוהה יותר, מגדיל את מספר שכבות V-NAND, Samsung יישמה את טכנולוגיית קנה המידה המתקדמת שלה בתלת מימד כדי להקטין את שטח הפנים והגובה תוך הימנעות מהפרעות תא לתא המתרחשות בדרך כלל בעת קנה מידה, אמר SongHoi Hur, סגן נשיא בכיר. Samsung אלקטרוניקה על זיכרון פלאש וטכנולוגיות. "הדור השמיני של ה-V-NAND שלנו יעזור לענות על ביקוש השוק הגדל במהירות ולמצב אותנו טוב יותר לספק מוצרים ופתרונות מובחנים יותר שיעמדו בבסיס חידושי אחסון עתידיים."
Samsung לא הכריזה על מוצרים ממשיים המבוססים על זיכרון V-NAND מהדור השמיני, אך אנו יכולים להניח שהמכשירים הראשונים יתמקדו ביישומי לקוח.
אתה יכול לעזור לאוקראינה להילחם נגד הפולשים הרוסים. הדרך הטובה ביותר לעשות זאת היא לתרום כספים לכוחות המזוינים של אוקראינה באמצעות הצלת חיים או דרך העמוד הרשמי NBU.
קרא גם: