Samsung מכשירי חשמל מתכוון לשחרר 1 TB של זיכרון DDR5 במודול בודד הודות לפריצת דרך בייצור DRAM.
חברה דרום קוריאנית מפותח זיכרון RAM DDR32 הראשון בתעשיית הזיכרון בנפח 5 גיגה-ביט (GB) עם הקיבולת הגבוהה ביותר, תוך שימוש בתהליך של 12 ננומטר. תודה על זה Samsung יוכל לייצר מודולי זיכרון DDR5 בנפח 1TB, אך יש יתרון נוסף במעבר ל-32GB DRAM. בהשוואה למודולי DDR5 DRAM הקיימים בנפח 16GB המיוצרים בתהליך 12nm, צריכת החשמל של מודולי ה-128GB תופחת ב-10%.
לדברי Sang-Joon Hwan, סגן נשיא למוצרי DRAM וטכנולוגיה ב Samsung אלקטרוניקה, בתחילה הצרכנים העיקריים של זיכרון זה יהיו מרכזי נתונים, בינה מלאכותית וביג דאטה: "בזכות 32 גיגה-בייט של זיכרון DRAM שלנו בדרגת 12 ננומטר, השגנו פתרון שיאפשר יצירת מודולי DRAM עם נפח של עד 1 TB, מה שיאפשר לנו להיות במיקום אידיאלי לענות על הצורך ההולך וגובר בזיכרון RAM בעל קיבולת גבוהה בעידן של AI (בינה מלאכותית) וביג דאטה... נמשיך לפתח פתרונות DRAM תוך שימוש בתהליכי ייצור מובחנים ו עיצוב טכנולוגיות כדי לדחוף את גבולות טכנולוגיית הזיכרון".
יותר זיכרון בפחות מקום עם פחות צריכת חשמל תמיד יהיה פופולרי בקרב מפעילי מרכזי נתונים. עם זאת, טכנולוגיית זיכרון זו אמורה לעבור בסופו של דבר אל מודולי ה-DDR5 המשמשים במחשבים השולחניים והמחשבים הניידים שלנו. נכון לעכשיו, נראה כי ערכות זיכרון של 192 ג'יגה-בייט המורכבות מארבעה מודולים הן הרמה הגבוהה ביותר עבור הצרכנים.
קרא גם: