Samsung הציג 512 GB של זיכרון RAM DDR5 עם טכנולוגיית HKMG

Samsung אלקטרוניקה היא ענקית טכנולוגיה שמכתיבה מגמות בתחום האלקטרוניקה. סמארטפונים של גלקסי הם דוגמה טובה להישגי החברה בתחום המסכים, החומרה, הסוללות ועוד. עם זאת, אסטרטגיה עסקית Samsung אינו מוגבל למכשירים ניידים.

הפרויקט המרשים הבא של החברה כולל פיתוח מודולי זיכרון DDR512 הראשונים בתעשייה בנפח 5 גיגה-בייט המבוססים על טכנולוגיית High-K Metal Gate (HKMG). טכנולוגיית ייצור זו תבטיח ביצועים כפולים של DDR4 RAM, שמגיע ל-7200 Mbit/s.

הדור החדש של RAM DDR5 מ Samsung פותח תוך התחשבות בצרכים הספציפיים של מחשבי-על, בינה מלאכותית ומערכות למידת מכונה, כמו גם לעיבוד מסדי נתונים מחקריים.

כַּיוֹם Samsung הוא היצרן היחיד שיש לו את המשאבים והיכולות הדרושים לשילוב HKMG ליצירת זיכרון DRAM. באופן מסורתי, טכנולוגיה זו משמשת ליצירת מוליכים למחצה, אך כעת ניתן לייצר DDR5 RAM. Samsung מבטיח לא רק ביצועים גבוהים יותר, אלא גם הפחתה דו ספרתית בצריכת האנרגיה.

בדיקות מראות שמרכזי נתונים מבוססי DDR5 עם טכנולוגיית HKMG פועלים במהירות מלאה תוך שימוש בכ-15% פחות כוח. כל אופטימיזציה שמפחיתה את האנרגיה הנדרשת היא קריטית עבור תצורות השרת.

תהליך HKMG שימש לראשונה ביצירת זיכרון GDDR6 בשנת 2018. כעת החברה מרחיבה את היכולות של תהליך חדשני זה ל-DDR5 RAM. במקרה זה, טכנולוגיית "Trough-Silicon Via" (TSV) מאפשרת לך למקם שמונה שכבות של 16 ג'יגה-בייט DRAM בקיבולת כוללת של 512 ג'יגה-בייט.

ובכן, עכשיו Chrome בהחלט מספיק.

קרא גם:

• נראה ש Huawei ניתן להציל בעזרת סמסונג
• סמסונג מתכוננת לשחרור סמארטפון עם מסך מתקפל לשניים