סם הייניקס, היצרן השני בגודלו של שבבי זיכרון אחריו Samsung, הודיעה זה עתה (6 באוקטובר 2020) כי היא הראשונה בעולם לייצר צ'יפס DDR5 DRAM (זיכרון RAM דינמי עם קצב העברת נתונים כפול).
שבבי DDR5 DRAM החדשים מתהדרים בביצועים מהירים פי 1,8 בהשוואה לזיכרון DDR4 מהדור הקודם. החברה הדרום קוריאנית אמרה שהיא השלימה בדיקות שונות ואף סיפקה לחברות שותפות את הדוגמאות שלה לבדיקה. שותפה אחת כזו היא אינטל. DDR5 הוא תקן ה-DRAM של הדור הבא שיכיל מגוון רחב של יישומים החל מ-Big Data, בינה מלאכותית, טכנולוגיות למידת מכונה וכו'.
על פי SK Hynix, ה-DDR5 DRAM החדש תומך במהירויות העברה של 4800 עד 5600 Mbps, שזה פי 1,8 מהיר יותר מ-3200 Mbps שמציע DDR4. יש לציין, אפשרות ההעברה המהירה ביותר של 5600 Mbps מאפשרת למשתמשים להזרים בסביבות תשעה סרטי FHD של 5GB כל אחד בשנייה אחת. למרות קצב העברת הנתונים הגבוה יותר, שבבי ה-DRAM החדשים גם חסכוניים יותר באנרגיה: מתח הפעולה הופחת מ-1,2 ל-1,1 וולט, מה שמאפשר הפחתה של 20 אחוז בצריכת החשמל.
שבבי ה-DDR5 החדשים טעונים גם בקוד תיקון שגיאות (ECC), שבעצמו מסוגל לתקן שגיאות בתא DRAM ברמת 1-bit. בנוסף, הטכנולוגיה החדשה גם הגדילה את האמינות של מערכת האפליקציות DDR5 פי 20 ואיפשרה להפחית את צריכת האנרגיה ועלויות התפעול של מרכזי נתונים.
קרא גם: