SK hynix פיתחה את הזיכרון המהיר בעולם - HBM3E עם מהירות של 1,15 TB/s

SK hynix הודיעה כי פיתחה זיכרון HBM3E, הדור הבא של זיכרון גישה אקראית במהירות גבוהה (DRAM) עבור מחשוב בעל ביצועים גבוהים ובמיוחד לתחום הבינה המלאכותית. זיכרון זה, לדברי החברה, הוא היצרני ביותר בעולם ונבדק ונבדק כעת על ידי לקוחות SK hynix.

HBM (High Bandwidth Memory) הוא זיכרון מהיר, שהוא ערימה של מספר שבבי DRAM המחוברים אנכית, מה שמספק עלייה משמעותית במהירות עיבוד הנתונים בהשוואה לשבבי DRAM קונבנציונליים. HBM3E היא גרסה משופרת של זיכרון HBM3 מהדור החמישי, שהחליף את הדורות הקודמים: HBM, HBM2, HBM2E ו-HBM3.

SK hynix מדגישה כי הפיתוח המוצלח של HBM3E התאפשר בזכות הניסיון של החברה כיצרנית ההמונית היחידה של HBM3. ייצור המוני של HBM3E אמור להתחיל במחצית הראשונה של השנה הבאה, מה שיחזק את מעמדה המוביל של החברה בשוק זכרונות הבינה המלאכותית.

לפי SK hynix, המוצר החדש לא רק עומד בסטנדרטים הגבוהים ביותר בתעשייה למהירות, פרמטר זיכרון מרכזי למשימות AI, אלא גם בקטגוריות אחרות, כולל קיבולת, פיזור חום ושימושיות. ה-HBM3E מסוגל לעבד נתונים במהירויות של עד 1,15 TB/s, אשר שווה ערך להעברת יותר מ-230 סרטי Full HD באורך מלא של 5 GB כל אחד בשנייה.

בנוסף, ל-HBM3E פיזור חום משופר ב-10% הודות לשימוש בטכנולוגיה מתקדמת Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF2). הזיכרון החדש מספק גם תאימות לאחור, שתאפשר לך להשתמש בו במאיצים קיימים שנוצרו תחת HBM3.

"אנחנו עובדים עם SK hynix כבר זמן רב בתחום הזיכרון ברוחב פס גבוה לפתרונות מחשוב מואץ מתקדמים. אנו מצפים להמשיך את שיתוף הפעולה שלנו עם HBM3E כדי לבנות את הדור הבא של מחשוב בינה מלאכותית", אמר איאן באק, סגן נשיא ל-Hyperscale ו-High Performance Computing ב- NVIDIA.

Sungsoo Ryu, ראש תחום תכנון מוצרי DRAM ב-SK hynix, הדגיש כי החברה חיזקה את מעמדה בשוק על ידי הוספה לקו מוצרי HBM, שנמצא באור הזרקורים לאור התפתחות טכנולוגיית הבינה המלאכותית.

קרא גם:

•  SK Hynix יצרה זיכרון על עם פונקציות מחשוב עבור AI
• Micron מתחילה בייצור סדרתי של מודולי DDR5-4800 96GB RAM