חֶברָה Samsung אלקטרוניקה הודיעה על תחילת ייצור המוני של מערכת חד-גביש הראשונה בשוק System-on-Chip (SoC, קרא את הפרטים כאן) על תהליך FinFET של 10 ננומטר.
10 ננומטר כבר נמצאים בשוק
"פתרון הייצור ההמוני 10nm FinFET הראשון בשוק מאשר את ההובלה שלנו בפיתוח טכנולוגיות מתקדמות", אמר יאון שי-יון, סגן נשיא בכיר, ראש חטיבת ייצור מוליכים למחצה Samsung מכשירי חשמל. - נמשיך לעשות כל מאמץ ליצור טכנולוגיות חדשניות להרחבה ולספק למשתמשים פתרונות משולבים מובחנים".
מעבד חדש Samsung 10nm FinFET (10LPE) בעל מבנה תלת מימד מתקדם של טרנזיסטור. הטכנולוגיה והעיצוב התפעולי שלו שופרו בהשוואה לגרסת ה-3 ננומטר הקודמת, ומספקים יעילות משטח ספציפית גבוהה יותר ב-14%, ביצועים גבוהים ב-30% וצריכת חשמל נמוכה ב-40%. כדי להסיר מגבלות קנה מידה, הפתרון החדש משתמש בפתרון הטכני העדכני ביותר - מבנה משולש. הוא מספק ניתוב דו-כיווני כדי לתמוך בגמישות רבה יותר בעיצוב ובניתוב בהשוואה לדגמים קודמים.
לפני Samsung הציג את הדור הראשון של פתרונות לתהליך הטכנולוגי של 10 ננומטר (10LPE). הדור השני (10LPP) שיפר ביצועים, תחילת הייצור ההמוני שלו מתוכננת למחצית השנייה של 2017.
בשיתוף פעולה הדוק עם שותפים Samsung מתכוון גם ליצור מערכת אקולוגית מוליכים למחצה פונקציונלית המשלבת זרימת התייחסות, IP וכלי אימות ספרייה. ערכת פיתוח ייצור (PDK) וערכת פיתוח IP זמינות כעת להשקת הארכיטקטורה.
מערכת ה-10nm SoC תשמש במכשירים דיגיטליים מתחילת השנה הבאה. הם צפויים להיות זמינים לצרכן ההמוני במהלך 2017. אתה יכול ללמוד עוד על החברה באינטרנט .