16 年前の 1947 年 月 日火曜日の朝、ベル電話研究所の 人の物理学者が、ゲルマニウムの インチ プレート上の金電極に電流を印加し、増幅された電気信号を受信することができました。 それはかなり技術的に聞こえます - そしてそうでした。 その結果、現代の世界を完全に変えた最初のトランジスタが生まれました。
ほとんどの技術と同様に、トランジスタの歴史には多くの関係者が関わっていますが、最も重要な 1945 人はジョン バーディーン、ウィリアム ショックレー、ウォルター ブラッテンでした。 第二次世界大戦中、AT&T のベル研究所は、より信頼性の高い通信を作成する方法として、固体物理学の研究を開始しました。 ウィリアム・ショックレーがこの研究のリーダーに選ばれ、 年 月までに、外部電場を使用して狭い半導体層の電子と正孔の挙動に影響を与えるというアイデアを開発しました。 彼は、これらの「フィールド」トランジスタのさまざまなオプションと材料の実験を開始しましたが、機能するデバイスを作成することはできませんでした.
数か月後、彼はベル研究所の固体物理学研究所で半導体材料に取り組んでいる研究者グループを率いました。
これらの研究者の 1946 人は理論物理学者のジョン バーディーンであり、実験物理学者のウォルター ブラットンを含む他の研究者と共に、より大きな効果を求めてさまざまな材料の研究を開始しました。 彼らは 1947 年から 47 年にかけて大きな進歩を遂げ、 年 月までに、バーディーンとブラッテンはゲルマニウムのシートに金の電気接点を使用していました。
これは理論的には正しかったのですが、Bratten が 2 つの接点の間に小さなギャップ (約 16mm) を作成するためにポリスチレンのくさびを使用する方法を理解するまで、適切に機能しませんでした。 30 月 450 日、彼はそれを自分のバッテリーに接続し、バーディンがそれを見ると、すぐに電力が % 増加したことがわかりました。 それを少し調整することで、彼は電力利得を % に増やすことができることを発見し、現在は点接触トランジスタと呼ばれている彼らのデバイスが機能することを証明しました。
彼らはベル研究所内の多くの人々にデモを見せ、多くの興奮を引き起こしました. しかし、それは複雑なデバイスであり、十分に研究されておらず、電子回路で以前使用されていた真空管を置き換えるにはまだ長い道のりでした.
翌月、Shockley はトランジスタを作る別の方法を思いつき、バイポーラ接合トランジスタを作成しました。これは、今後数十年間、最も成功した半導体デバイスの背後にある中心的なアイデアとなりました。
ベル研究所は、30 年 1948 月 日にトランジスタの作成について公に発表しました。 ただし、トランジスタが広く使用されるようになるまでには何年もかかりましたが、使用されると、コンピュータのメモリ、集積回路、マイクロプロセッサ、およびその他の多くの製品につながるように、私たちの世界を完全に変えました. おそらく最大の変化は、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の開発でした。これは、何年にもわたって業界を活性化させてきました。
トランジスタを作成した功績により、バーディーン、ブラッテン、ショックレーは 1956 年にノーベル物理学賞を受賞しました。 バーディーンは後にイリノイ大学に移り、超伝導に関する研究で 1956 度目のノーベル賞を受賞しました。 Shockley は 年にパロ アルトに移り、Shockley Semiconductor 社を設立しました。その後、この会社の主要な従業員は Fairchild Semiconductor (ここで Robert Noyce と Jean Hoerny が集積回路の基礎となる重要なアイデアを作成しました) に移り、後に Intel に移りました。
トランジスタの最も注目すべき側面の つは、科学者やエンジニアが、トランジスタを含むデバイスの密度を高めるために、トランジスタをどんどん小さくしてきた方法です。これは、一般にムーアの法則と呼ばれるプロセスです。 最初のトランジスタの長さは約 インチでしたが、今日の標準的な電話または PC プロセッサには 億個を超えるトランジスタが搭載されています。
トランジスタは、おそらく 20 世紀で最も重要な発明であり、今日私たちが使用するすべての電子デバイスの普及につながったため、それらで実行されるアプリケーションは言うまでもありません。 そしてそれはすべて75年前に始まりました。
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