カリフォルニアに本拠を置く同社は、3D スタッキング技術を使用して DRAM チップの密度を高めるための革新的なソリューションと呼ぶものを立ち上げています。 新しいメモリ チップは、低製造コストと低メンテナンス コストを必要とする一方で、DRAM 容量を大幅に増加させます。
NEO Semiconductor は、3D X-DRAM は DRAM メモリ向けの世界初の 3D NAND 技術であり、限られた DRAM 容量の問題を解決し、「2D DRAM 市場全体」を置き換えるために設計されたソリューションであると主張しています。 同社は、現在市場に出回っている他のオプションよりもはるかに便利であるため、競合製品よりも優れていると主張しています。
3D X-DRAM は、コンデンサレス フローティング セル技術に基づく 3D NAND のような DRAM セル アレイ構造を使用していると、NEO Semiconductor は説明しています。 3D X-DRAM チップは、3D NAND チップと同じ方法を使用して製造できます。これは、ビット ライン ホールを定義し、ホール内にセル構造を形成するために必要なマスクが つだけであるためです。
このセル構造により、プロセスのステップ数が簡素化され、システム メモリ用の 3D メモリの製造に「高速、高密度、低コスト、高性能のソリューション」が提供されます。 NEO Semiconductor は、同社の新しい 3D X-DRAM テクノロジが 128 層で 230GB の密度を達成できると見積もっています。これは、今日の DRAM の密度の 8 倍です。
Neo 氏によると、現在、3D スタッキング ソリューションを DRAM 市場に導入するための業界全体の取り組みが行われています。 3D X-DRAM を使用すると、チップ メーカーは現在の「成熟した」3D NAND プロセスを使用でき、科学論文やメモリ研究者によって提案されたより風変わりなプロセスを必要としません。
3D X-DRAM ソリューションは、RAM メーカーが 3D NAND に似た技術を採用するのに 年間の遅延を回避するように設定されているように見えます。ユビキタスなチャットボット アルゴリズム ChatGPT などの「人工知能アプリケーション」の次の波は、高いパフォーマンス システムの大容量メモリ。
NEO Semiconductor の創設者兼 CEO であり、120 件以上の米国特許を持つ「優れた発明者」である Andy Hsu 氏は、3D X-DRAM は、成長する 3D DRAM 市場において議論の余地のないリーダーであると述べています。 これは非常に簡単で安価に製造および拡張できるソリューションであり、特に高密度 DIMM に対する緊急の需要があるサーバー市場では、真のブームになる可能性があります。
NEOセミコンダクターによると、対応する3D X-DRAMの特許出願は、6年2023月128日に米国特許出願公報で公開されました。 同社は、1 年代半ばに密度が 2030 GB から TB に直線的に増加し、テクノロジーが進化および改善されることを期待しています。
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