Samsung 電子 は、業界で最も大容量の 12nm DDR5 DRAM 32Gb メモリ チップを導入し、人工知能の時代に最適であると述べています。 それ以前は、同社は TSV 実装の 32 Gbit クリスタルを重ねて使用する場合のみ 16 Gbit チップを製造できました。 32 Gb チップと同じパッケージに収められた「一体型」の 5 Gb DDR16 チップのリリースにより、消費量が削減され、有望な 1 TB メモリ モジュールへの道が開かれます。
見積もりによると Samsung, 5 倍の容量を持つ DDR10 チップにより、128 GB DDR5 モジュールの消費量が 12% 削減されます。 興味深いのは、同社がごく最近、つまり今年 16 月に 5 nm 32 Gbit DDR32 DRAM の生産開始を発表したことです。 今回の発表は、5Gビットチップの量産を直ちに開始することを意味するものではない。 同社は今年末にのみ生産を開始すると約束している。 シリアル供給されるチップの容量が 64 Gbit に増加すると、メモリ メーカーは 1 GB の容量を持つ大容量 DDR モジュールと最大 TB の容量を持つサーバー モデルのリリースに移行できるようになります。
「12nm 32Gb クラスの DRAM を作成することで、最大 1TB の DRAM モジュールの生産を可能にするソリューションを提供しました。これにより、人工知能と大容量化の時代における大容量 DRAM に対する需要の高まりに応える絶好の機会が得られます。」同社 DRAM 製品および技術部門の執行副社長、Jun Hwang 氏は次のように述べています。 Samsung エレクトロニクス。 「当社は差別化された製造プロセスと設計技術に基づいてDRAMソリューションを開発し続け、メモリ技術の限界を押し広げていきます。」
現在、SK hynix や Micron などのメモリ メーカーは 24Gb DDR5 チップのみを提供しており、最大 96GB の大容量モジュールが可能ですが、 Samsung ワンランク上の容量を確保し、5 番目に密度の高いソリューションを提供します。 ただし、まだ正式には発表されていませんが、Micron はロードマップで 32Gb DDR チップの開発も確認しています。
彼の話については Samsung RAM の制限を 500 倍に拡張しました。 同社は 64 年に最初の (1983 K ビット) メモリを発表しました。 過去 40 年間で、当時はほとんどの人が考えられなかったほど、超小型回路の容量が信じられないほど増加しました。
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