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Samsung エレクトロニクスは、エレクトロニクスのトレンドを左右するテクノロジーの巨人です。 Galaxy スマートフォンは、ディスプレイ、ハードウェア、バッテリーなどにおける同社の業績の好例です。 しかし、事業戦略は Samsung モバイルデバイスに限定されません。
同社の次の印象的なプロジェクトには、High-K メタル ゲート (HKMG) テクノロジに基づく業界初の 512 GB DDR5 メモリ モジュールの開発が含まれます。 この生産技術は、4 Mbit/s に達する DDR7200 RAM の 倍のパフォーマンスを保証します。
からの新世代の RAM DDR5 Samsung スーパーコンピューター、人工知能、機械学習システムの特定のニーズ、および研究データベースの処理を考慮して開発されました。
現在 Samsung HKMG を統合して DRAM メモリを作成するために必要なリソースと機能を備えている唯一のメーカーです。 従来、この技術は半導体の製造に使用されていましたが、現在では DDR5 RAM の製造が可能です。 Samsung パフォーマンスの向上だけでなく、エネルギー消費量の 桁の削減も約束します。
テストによると、HKMG テクノロジを使用した DDR5 ベースのデータセンターは、約 15% 少ない電力でフル スピードで動作することが示されています。 必要なエネルギーを削減する最適化は、サーバー構成にとって重要です。
HKMG プロセスは、6 年に GDDR2018 メモリの作成に初めて使用されました。 同社は現在、この革新的なプロセスの機能を DDR5 RAM に拡張しています。 この場合、「Trough-Silicon Via」（TSV）テクノロジーにより、合計容量が 16 GB の 512 Gb DRAM を 層配置できます。
まあ、今は間違いなく Chrome で十分です。
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