Qualcomm სავარაუდოდ გამოუშვებს Snapdragon 8150-ს 4 დეკემბერს, მაგრამ მომავალი SoC-ის ძირითადი სპეციფიკაციები უკვე ცნობილია, რაც აჩვენებს შესამჩნევ განსხვავებას ახალ ჩიპსეტსა და Snapdragon 845-ს შორის.
შემდეგ Apple A12 Bionic, Kirin 980-დან Huawei და 8-ნმ Exynos 9820-დან Samsung ყველა თვალი Qualcomm-ზეა მიპყრობილი, რომელსაც ჯერ არ გამოუშვებს ფლაგმანი ჩიპსეტი მომავალი მოწყობილობებისთვის. სავარაუდოდ, კომპანია 4 დეკემბერს ჰავაიში Qualcomm Technology Summit-ზე ისაუბრებს, სადაც Snapdragon 8150-ის შესახებ დეტალური ინფორმაცია იქნება წარმოდგენილი.
Snapdragon 8150-ით აღჭურვილი სმარტფონების უმეტესობა სავარაუდოდ მიიღებს 5G მოდემს, მაგრამ გაიყიდება შეზღუდულ ბაზარზე. როგორც Kirin 980 და Exynos 9820, Snapdragon 8150-ს შეუძლია მიიღოს სპეციალური NPU მოდული.
ცნობილია, რომ Snapdragon 8150-ს ექნება სამმაგი პროცესორის კლასტერი. ეს დიზაინი განსხვავდება Snapdragon 845-ის მიერ გამოყენებული დიზაინისგან, მაგრამ ახალი არაფერია. მაგალითად, Kirin 980 იყენებს სამმაგი პროცესორის კლასტერს ორი Cortex-A76 ბირთვით 2,6 გჰც სიხშირით მაქსიმალური შესრულებისთვის.
ანალოგიურად, ორბირთვიანი Exynos 9820 პროცესორი დატვირთულია მაღალი სიჩქარით მაქსიმალური შესრულებისთვის, ხოლო SoC-ს აქვს ცალკე ორბირთვიანი Cortex-A75 და ოთხბირთვიანი Cortex-A55. Snapdragon 8150-ის სავარაუდო კონფიგურაციას აქვს ერთი Kryo Gold Prime ძირითადი ბირთვი 2 KB L512 ქეშით, რომელიც მუშაობს მაქსიმალურ სიხშირეზე 2,842 GHz. შემდეგ არის სამი Kryo Gold ბირთვი 2,419 გჰც სიხშირით და ოთხი დაბალი სიმძლავრის ოთხბირთვიანი Kryo Silver 1,786 გჰც სიხშირით.
მაღალი ხარისხის ბირთვები, სავარაუდოდ, დაფუძნებული იქნება ARM-ის Cortex-A76-ზე, მაგრამ დაბალი სიმძლავრის - Cortex-A55-ზე. ერთადერთი განსხვავება ისაა, რომ ორი მაღალი სიხშირის ბირთვის გამოყენების ნაცვლად, Qualcomm-ს შეუძლია მიმართოს მაქსიმალური სიჩქარით მომუშავე ერთი ბირთვის გამოყენებას. ტესტის შედეგებმა ასევე აჩვენა, რომ Snapdragon 8150 უზრუნველყოფს გაზრდილ შესრულებას როგორც ერთბირთვიან, ასევე მრავალ ბირთვიან ტესტებში. თუმცა, შეფასებები აჩვენებს, რომ ის უფრო ნელი იქნება ვიდრე A12 Bionic.