Samsung ელექტრონიკა წარმოადგინა ინდუსტრიის ყველაზე ტევადი 12 ნმ DDR5 DRAM 32 გბ მეხსიერების ჩიპები, რომლებიც, მისი თქმით, იდეალურად შეეფერება ხელოვნური ინტელექტის ასაკს. მანამდე კომპანიას შეეძლო ეწარმოებინა 32 გბიტიანი ჩიპები მხოლოდ TSV-ზე დამაგრებული 16 გბიტიანი კრისტალებით ერთი მეორეზე. „ერთი ცალი“ 32 გბ DDR5 ჩიპების გამოშვება იმავე პაკეტში 16 გბ ჩიპებით შეამცირებს მოხმარებას და გზას გაუხსნის პერსპექტიული 1 ტბ მეხსიერების მოდულებს.
შეფასებით Samsung, DDR5 ჩიპები ორმაგი სიმძლავრით უზრუნველყოფს 10%-ით დაბალ მოხმარებას 128 GB DDR5 მოდულისგან. საინტერესოა, რომ კომპანიამ გამოაცხადა 12 ნმ 16 გბიტიანი DDR5 DRAM-ის წარმოების დაწყება სულ ახლახან - მიმდინარე წლის მაისში. მიმდინარე განცხადება არ ნიშნავს დაუყოვნებლივ დაწყებას 32 გბიტიანი ჩიპების მასობრივ წარმოებაში. კომპანია მათი წარმოების დაწყებას მხოლოდ მიმდინარე წლის ბოლოს გვპირდება. სერიულად მიწოდებული ჩიპების სიმძლავრის გაზრდა 32 გბიტამდე მეხსიერების მწარმოებლებს საშუალებას მისცემს გადავიდნენ მასობრივი DDR5 მოდულების გამოშვებაზე 64 გბ მოცულობით და სერვერის მოდელებზე 1 ტბ-მდე მოცულობით.
„12 ნმ 32 გბ კლასის DRAM-ის შექმნით, ჩვენ მივიღეთ გადაწყვეტა, რომელიც საშუალებას მისცემს 1TB-მდე DRAM მოდულების წარმოებას, რაც გვაძლევს შესანიშნავ შესაძლებლობას დავაკმაყოფილოთ მაღალი ტევადობის DRAM-ზე მზარდი მოთხოვნა ხელოვნური ინტელექტისა და დიდის ეპოქაში. მონაცემები", - თქვა სუნმა. ჯუნ ჰვანგმა, კომპანიის DRAM პროდუქტებისა და ტექნოლოგიების განყოფილების აღმასრულებელი ვიცე პრეზიდენტი. Samsung ელექტრონიკა. „ჩვენ გავაგრძელებთ DRAM გადაწყვეტილებების შემუშავებას, რომელიც დაფუძნებულია დიფერენცირებულ წარმოების პროცესებზე და დიზაინის ტექნოლოგიებზე, მეხსიერების ტექნოლოგიის საზღვრების გადალახვის მიზნით.
ამჟამად, მეხსიერების მწარმოებლები, როგორიცაა SK hynix და Micron, გვთავაზობენ მხოლოდ 24 Gb DDR5 ჩიპებს, რაც საშუალებას აძლევს მასობრივ მოდულებს 96 გბ-მდე, მაგრამ Samsung იღებს სიმძლავრეს მაღლა, სთავაზობს მესამე მკვრივ გადაწყვეტას. თუმცა, Micron-მა ასევე დაადასტურა მუშაობა 5 გბ DDR32 ჩიპებზე თავის საგზაო რუკაში, თუმცა ისინი ჯერ ოფიციალურად არ გამოცხადებულა.
თავისი ისტორიისთვის Samsung გააფართოვა RAM-ის ლიმიტები 500-ჯერ. კომპანიამ წარმოადგინა თავისი პირველი (64 Kbit) მეხსიერება 1983 წელს. გასული 40 წლის განმავლობაში მან წარმოუდგენლად რამდენჯერ გაზარდა მიკროსქემების სიმძლავრე, რაზეც იმ დროს ცოტას შეეძლო ფიქრიც კი.
ასევე წაიკითხეთ:
- SK hynix-მა შექმნა მსოფლიოში ყველაზე სწრაფი მეხსიერება - HBM3E 1,15 ტბ/წმ სიჩქარით.
- Huawei სანქციების ქვეშ ჩიპების ქარხნების საიდუმლო ქსელს აშენებს