.){kind=link}
Samsung ელექტრონიკა არის ტექნოლოგიური გიგანტი, რომელიც კარნახობს ელექტრონიკის ტენდენციებს. Galaxy სმარტფონები არის კომპანიის მიღწევების კარგი მაგალითი დისპლეებში, აპარატურაზე, ბატარეებში და სხვა. თუმცა, ბიზნეს სტრატეგია Samsung არ შემოიფარგლება მობილური მოწყობილობებით.
კომპანიის შემდეგი შთამბეჭდავი პროექტი მოიცავს ინდუსტრიის პირველი 512 GB DDR5 მეხსიერების მოდულების შემუშავებას, რომელიც დაფუძნებულია High-K Metal Gate (HKMG) ტექნოლოგიაზე. წარმოების ეს ტექნოლოგია გარანტირებულია DDR4 ოპერატიული მეხსიერების ორმაგ შესრულებაზე, რომელიც აღწევს 7200 მბიტ/წმ-ს.
ახალი თაობის RAM DDR5-დან Samsung შემუშავებული სუპერკომპიუტერების, ხელოვნური ინტელექტისა და მანქანათმცოდნეობის სისტემების სპეციფიკური საჭიროებების გათვალისწინებით, ასევე კვლევის მონაცემთა ბაზების დამუშავებისთვის.
ამჟამად Samsung არის ერთადერთი მწარმოებელი, რომელსაც აქვს საჭირო რესურსები და შესაძლებლობები HKMG-ის ინტეგრირებისთვის DRAM მეხსიერების შესაქმნელად. ტრადიციულად, ეს ტექნოლოგია გამოიყენება ნახევარგამტარების შესაქმნელად, მაგრამ ახლა უკვე შესაძლებელია DDR5 ოპერატიული მეხსიერების წარმოება. Samsung გვპირდება არა მხოლოდ უფრო მაღალ შესრულებას, არამედ ენერგიის მოხმარების ორნიშნა შემცირებას.
ტესტები აჩვენებს, რომ DDR5-ზე დაფუძნებული მონაცემთა ცენტრები HKMG ტექნოლოგიით მუშაობენ სრული სიჩქარით, დაახლოებით 15%-ით ნაკლები ენერგიის გამოყენებით. ნებისმიერი ოპტიმიზაცია, რომელიც ამცირებს საჭირო ენერგიას, გადამწყვეტია სერვერის კონფიგურაციისთვის.
HKMG პროცესი პირველად გამოიყენეს GDDR6 მეხსიერების შესაქმნელად 2018 წელს. კომპანია ახლა აფართოებს ამ ინოვაციური პროცესის შესაძლებლობებს DDR5 RAM-ზე. ამ შემთხვევაში, "Trough-Silicon Via" (TSV) ტექნოლოგია საშუალებას გაძლევთ განათავსოთ რვა ფენა 16 გბ DRAM საერთო ტევადობით 512 გბ.
ახლა Chrome ნამდვილად საკმარისია.
ასევე წაიკითხეთ: