კომპანია Samsung Electronics-მა გამოაცხადა ბაზარზე პირველი ერთკრისტალური სისტემის მასიური წარმოების დაწყება System-on-Chip (SoC, წაიკითხეთ დეტალები აქ) 10 ნმ FinFET პროცესზე.

10 ნანომეტრი უკვე ბაზარზეა

"პირველი მასობრივი წარმოების 10 ნმ FinFET გადაწყვეტა ბაზარზე ადასტურებს ჩვენს ლიდერობას მოწინავე ტექნოლოგიების განვითარებაში", - თქვა Yeon Shi-yun, აღმასრულებელი ვიცე პრეზიდენტი, ნახევარგამტარების წარმოების განყოფილების ხელმძღვანელი. Samsung ელექტრონიკა. - ჩვენ გავაგრძელებთ ყველა ღონეს, რათა შევქმნათ ინოვაციური მასშტაბური ტექნოლოგიები და მივაწოდოთ მომხმარებლებს დიფერენცირებული ინტეგრირებული გადაწყვეტილებები“.

ახალი პროცესორი Samsung 10 ნმ FinFET (10LPE) აქვს მოწინავე ტრანზისტორი 3D სტრუქტურა. მისი ოპერაციული ტექნოლოგია და დიზაინი გაუმჯობესებულია წინა 14 ნმ ვერსიასთან შედარებით, რაც უზრუნველყოფს 30%-ით მაღალ სპეციფიკურ ზედაპირულ ეფექტურობას, 40%-ით მაღალ შესრულებას და 40%-ით დაბალ ენერგომოხმარებას. მასშტაბის შეზღუდვების მოსაშორებლად, ახალი გადაწყვეტა იყენებს უახლეს ტექნიკურ გადაწყვეტას - სამმაგი სტრუქტურირება. ის უზრუნველყოფს ორმხრივ მარშრუტიზაციას, რათა ხელი შეუწყოს უფრო მეტ მოქნილობას დიზაინსა და მარშრუტიზაციაში წინა მოდელებთან შედარებით.

ადრე Samsung წარმოადგინა პირველი თაობის გადაწყვეტილებები 10 ნმ ტექნოლოგიური პროცესისთვის (10LPE). მეორე თაობას (10LPP) აქვს გაუმჯობესებული შესრულება, მისი მასობრივი წარმოების დაწყება დაგეგმილია 2017 წლის მეორე ნახევრისთვის.

პარტნიორებთან მჭიდრო თანამშრომლობით Samsung ასევე აპირებს შექმნას ფუნქციური ნახევარგამტარული ეკოსისტემა, რომელიც აერთიანებს საცნობარო ნაკადს, IP-ს და ბიბლიოთეკის გადამოწმების ინსტრუმენტებს. წარმოების განვითარების ნაკრები (PDK) და IP განვითარების ნაკრები ამჟამად ხელმისაწვდომია არქიტექტურის დასაწყებად.

10 ნმ SoC სისტემა ციფრულ მოწყობილობებში გამოყენებული იქნება მომავალი წლის დასაწყისიდან. სავარაუდოდ, ისინი ხელმისაწვდომი გახდება მასობრივი მომხმარებლისთვის 2017 წლის განმავლობაში. შეგიძლიათ მეტი შეიტყოთ კომპანიის შესახებ ონლაინ .