Samsung 는 16나노급의 업계 최고 기술 프로세스를 사용하는 5기가비트 DDR12 DRAM 메모리의 양산 시작을 발표했습니다. 가장 현대적인 생산 공정의 완성은 회사의 리더십을 다시 한 번 확인시켜줍니다. Samsung 첨단 DRAM 기술 분야에서
이전 세대에 비해 새로운 RAM Samsung 5nm급 DDR12 DRAM은 웨이퍼 성능을 23% 향상시키면서 전력 소비를 20% 줄입니다. 뛰어난 에너지 효율성 덕분에 서버와 데이터 센터의 에너지 소비와 탄소 발자국을 줄이려는 글로벌 IT 기업에 이상적인 솔루션입니다.
개발 Samsung 12nm 공정 기술은 전도성이 높은 신소재를 사용하여 가능하며 셀의 용량을 높이는 데 도움이 됩니다. 커패시턴스가 높으면 데이터 신호의 전위차가 커져 신호를 정확하게 구별하기가 더 쉬워집니다. 동작 전압을 낮추고 소음을 줄이기 위한 노력도 고객이 원하는 최적의 솔루션을 만드는 데 일조했다.
초당 7,2기가비트의 최대 속도로 30GB UHD 영화 5편을 약 12초에 처리할 수 있는 삼성의 nm DDR DRAM 라인은 데이터 센터, 인공 지능 및 차세대 컴퓨팅을 포함하여 점점 늘어나는 애플리케이션 목록을 지원할 것입니다.
지난 16월 삼성은 AMD와의 호환성을 위해 5기가비트 DDR DRAM 테스트를 완료했으며 차세대 DRAM 시장에서 혁신을 주도하기 위해 글로벌 IT 기업과 계속 협력하고 있습니다.
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