Samsung электроника өнөр жайдын эң сыйымдуулугу 12 нм DDR5 DRAM 32 Гб эстутум микросхемаларын ишке киргизди, алар жасалма интеллекттин дооруна эң ылайыктуу деп айтылат. Буга чейин компания 32 Гбит микросхемаларды TSV монтаждоочу 16 Гбит кристаллдары менен гана чыгара алган. "Бир даана" 32 Гб DDR5 чиптерин 16 Гб микросхемалар менен бир пакетте чыгаруу керектөөнү азайтат жана келечектүү 1 ТБ эстутум модулдарына жол ачат.
Эсептөөлөр боюнча Samsung, эки эсе кубаттуулугу бар DDR5 чиптери 10 ГБ DDR128 модулдарын 5% азыраак керектөөнү камсыз кылат. Кызыктуусу, компания 12 нм 16 Гбит DDR5 DRAM өндүрүшүнүн башталышын жакында - ушул жылдын май айында жарыялаган. Учурдагы жарыя 32 Гбит микросхемалардын массалык өндүрүшүн дароо баштоону билдирбейт. Ишкана аларды чыгарууну ушул жылдын аягында гана баштоону убада кылууда. Сериялык түрдө берилүүчү микросхемалардын сыйымдуулугун 32 Гбитке чейин жогорулатуу эс тутум өндүрүүчүлөрүнө көлөмү 5 ГБ болгон массалык DDR64 модулдарын жана 1 ТБга чейинки сервердик моделдерди чыгарууга өтүүгө мүмкүндүк берет.
"12 нм 32 Гб класстагы DRAM түзүү менен, биз 1 ТБ чейин DRAM модулдарын чыгарууга мүмкүндүк бере турган чечимди камсыз кылдык, бул бизге жасалма интеллект доорунда жогорку сыйымдуулуктагы DRAMга өсүп жаткан суроо-талапты канааттандырууга эң сонун мүмкүнчүлүк берет. маалыматтар," Sun билдирди. Jun Hwang, компаниянын DRAM Продукт жана технология бөлүмүнүн аткаруучу вице-президенти Samsung Электроника. "Биз эстутум технологиясынын чегин кеңейтүү үчүн дифференцияланган өндүрүш процесстерине жана дизайн технологияларына негизделген DRAM чечимдерин иштеп чыгууну улантабыз."
Учурда SK hynix жана Micron сыяктуу эстутумду өндүрүүчүлөр 24 Гб DDR5 микросхемаларын гана сунушташат, бул 96 ГБ чейин массалык модулдарга мүмкүндүк берет, бирок Samsung кубаттуулугу бир тепкичке көтөрүлүп, үчүнчү тыгызыраак чечимди сунуштайт. Бирок, Micron ошондой эле жол картасында 5Gb DDR32 чиптери боюнча ишти ырастады, бирок алар расмий түрдө жарыялана элек.
Анын окуясы үчүн Samsung RAM чегин 500 64 эсеге кеңейтти. Компания өзүнүн биринчи (1983 Кбит) эс тутумун 40-жылы сунуштаган. Акыркы XNUMX жылдын ичинде ал микросхемалардын сыйымдуулугун укмуштуудай эсеге көбөйттү, ал жөнүндө ошол убакта аз эле адамдар ойлоно да алган.
Ошондой эле окуңуз:
- SK hynix дүйнөдөгү эң тез эс тутумун - 3 ТБ/сек ылдамдыгы менен HBM1,15E иштеп чыкты.
- Huawei санкциялар боюнча чип заводдорунун жашыруун тармагын куруп жатат