Samsung ЖК жана мобилдик түзүлүштөр үчүн оперативдүү эс тутумдун жаңы муунун иштеп чыгууда маанилүү этапка жаңы эле жетти. Компания экстремалдык UV процессине негизделген биринчи миллион 4 нм класс DDR10 DRAM модулдарын жеткирди. Кийинки муундагы литография ыкмалары жардам бериши керек Samsung DRAM масштабындагы тоскоолдуктарды жеңүү, бул иштеп чыгуу убактысын кыскартат жана өндүрүмдүүлүгүн жогорулатат.
Бирок EUV негизиндеги RAM жакын арада бардык жерде болот деп күтпөңүз. IN Samsung 2020-жылдын экинчи жарымына чейин чиптерди чыгаруучу башка завод болбойт жана өндүрүүчү 5-жылга чейин тезирээк DDR2021 эс тутумун массалык түрдө чыгара баштайт деп күтпөйт. Бул азыр даяр чечимге караганда RAMдын келечегине көз салуу.