Samsung электроника DRAM өндүрүшүндөгү жетишкендиктин аркасында 1 ТБ DDR5 эс тутумун бир модулда чыгарууга ниеттенүүдө.
Түштүк Кореялык компания иштелип чыккан эс тармагындагы биринчи 32 гигабит (ГБ) DDR5 оперативдүү эс тутуму эң жогорку сыйымдуулукка ээ, 12 нм процессти колдонуу менен. Ушуга рахмат Samsung 5TB DDR1 эстутум модулдарын чыгара алат, бирок 32 ГБ DRAMга өтүүнүн дагы бир пайдасы бар. 5 нм процессинин жардамы менен өндүрүлгөн учурдагы 16 ГБ DDR12 DRAM модулдарына салыштырмалуу, 128 ГБ модулдардын электр керектөөсү 10% га кыскарат.
Санг-Джун Хвандын айтымында, DRAM өнүмдөрү жана технологиясы боюнча вице-президент Samsung Электроника, адегенде бул эс тутумдун негизги керектөөчүлөрү маалымат борборлору, жасалма интеллект жана чоң маалыматтар болот: “Биздин 32 нм класстагы 12 гигабайт DRAM эс тутумубуздун аркасында биз DRAM модулдарын түзүүгө мүмкүндүк берген чечимге ээ болдук. көлөмү 1 ТБ чейин, бул AI (жасалма интеллект) жана чоң маалыматтар доорунда жогорку сыйымдуулуктагы оперативдүү эстутумга өсүп келе жаткан муктаждыкты канааттандыруу үчүн идеалдуу жайгаштырууга мүмкүндүк берет ... Биз дифференцияланган өндүрүш процесстерин колдонуу менен DRAM чечимдерин иштеп чыгууну улантабыз. эстутум технологиясынын чегин кеңейтүү үчүн технологияларды долбоорлоо».
Азыраак мейкиндикте көбүрөөк эстутум азыраак энергия керектөө менен ар дайым маалымат борборунун операторлору менен популярдуу болот. Бирок, бул эс тутум технологиясы акыры биздин рабочий компьютерлерде жана ноутбуктарда колдонулган DDR5 модулдарына өтүшү керек. Учурда төрт модулдан турган 192 ГБ эстутум комплекттери керектөөчүлөр үчүн эң жогорку деңгээлде көрүнөт.
Ошондой эле окуңуз: