.){kind=link}
Samsung Электроника - электроникадагы тенденцияларды аныктаган технология гиганты. Galaxy смартфондору компаниянын дисплейлер, аппараттык жабдыктар, батарейкалар жана башкалар боюнча жетишкендиктеринин жакшы мисалы болуп саналат. Бирок, бизнес стратегиясы Samsung мобилдик түзмөктөр менен эле чектелбейт.
Компаниянын кийинки таасирдүү долбоору High-K Metal Gate (HKMG) технологиясына негизделген өнөр жайдын биринчи 512 ГБ DDR5 эс тутум модулдарын иштеп чыгууну камтыйт. Бул өндүрүш технологиясы 4 Мбит/с жете турган DDR7200 оперативдүү эс тутумунун эки эсе иштешине кепилдик берет.
RAM DDR5 жаңы муун тартып Samsung суперкомпьютерлердин, жасалма интеллекттин жана машинаны үйрөнүү системаларынын өзгөчө муктаждыктарын эске алуу менен иштелип чыккан, ошондой эле илимий-изилдөө базаларын иштетүү үчүн.
Учурда Samsung DRAM эстутумун түзүү үчүн HKMGди интеграциялоо үчүн зарыл болгон ресурстарга жана мүмкүнчүлүктөргө ээ болгон жалгыз өндүрүүчү. Салттуу түрдө бул технология жарым өткөргүчтөрдү түзүү үчүн колдонулат, бирок азыр DDR5 оперативдүү эс тутумун чыгарууга болот. Samsung жогорку көрсөткүчтөрдү гана эмес, ошондой эле энергияны керектөөнүн эки санга кыскарышын убада кылат.
Сыноолор көрсөткөндөй, HKMG технологиясы менен DDR5 негизиндеги маалымат борборлору болжол менен 15% аз кубат менен толук ылдамдыкта иштейт. Керектүү энергияны азайткан ар кандай оптималдаштыруу сервер конфигурациялары үчүн маанилүү.
HKMG процесси биринчи жолу 6-жылы GDDR2018 эс тутумун түзүүдө колдонулган. Компания азыр бул инновациялык процесстин мүмкүнчүлүктөрүн DDR5 RAMга чейин кеңейтүүдө. Бул учурда, "Trough-Silicon Via" (TSV) технологиясы жалпы сыйымдуулугу 16 ГБ болгон 512 Гб DRAMдын сегиз катмарын жайгаштырууга мүмкүндүк берет.
Ооба, азыр Chrome жетиштүү.
Ошондой эле окуңуз: