SK Hynix, эстутум микросхемаларынын экинчи ири өндүрүүчүсү Samsung, жакында эле (6-октябрь, 2020-жыл) дүйнөдө биринчи болуп чиптерди чыгарганын жарыялады DDR5 DRAM (кош маалымат берүү ылдамдыгы менен динамикалык RAM).
Жаңы DDR5 DRAM чиптери мурунку муундун DDR1,8 эс тутумуна караганда 4 эсе ылдамыраак иштеши менен мактанат. Түштүк Кореялык компания ар кандай сыноолорду аяктап, атүгүл өнөктөш компанияларга тестирлөө үчүн үлгүлөрүн бергенин айтты. Мындай өнөктөштөрдүн бири Intel болуп саналат. DDR5 жаңы муундагы DRAM стандарты, ал чоң маалыматтардан, жасалма интеллекттен, машинаны үйрөнүү технологияларынан ж.б.
SK Hynix айтымында, жаңы DDR5 DRAM 4800дөн 5600 Мбит/сек. чейинки өткөрүү ылдамдыгын колдойт, бул DDR1,8 сунуштаган 3200 Мбит/сек ылдамдыгынан 4 эсе тез. Белгилей кетчү нерсе, 5600 Мбит/сек ылдамдыкта өткөрүү мүмкүнчүлүгү колдонуучуларга бир секундда ар бири 5 ГБ болгон тогуз FHD тасмасын агымга алып чыгууга мүмкүндүк берет. Маалыматтарды берүү ылдамдыгына карабастан, жаңы DRAM чиптери энергияны үнөмдөөчү дагы: иштөө чыңалуу 1,2ден 1,1 вольтко чейин төмөндөтүлдү, бул электр энергиясын керектөөнү 20 пайызга кыскартууга мүмкүндүк берет.
Жаңы DDR5 чиптери ошондой эле Ката оңдоо коду (ECC) менен жүктөлөт, ал өзү 1-бит-деңгээлдеги DRAM клетка каталарын оңдоого жөндөмдүү. Мындан тышкары, жаңы технология ошондой эле DDR5 тиркеме системасынын ишенимдүүлүгүн 20 эсеге жогорулатты жана маалымат борборлорунун энергия керектөөсүн жана эксплуатациялык чыгымдарын кыскартууга мүмкүндүк берди.
Ошондой эле окуңуз: