Įmonė mikrono technologijos paskelbė apie pirmosios pasaulyje 176 sluoksnių „flash“ atminties pristatymo pradžią 3D NAND. Gamintojo teigimu, pažangios architektūros panaudojimas leido padaryti „radikalų proveržį“, gerokai padidinus ne tik saugojimo tankį, bet ir našumą. Naujoji atmintis leis saugykloje pritaikyti duomenų centrus, išmaniuosius periferinius įrenginius ir mobiliuosius įrenginius.
Naujovė yra penktosios kartos 3D NAND ir antrosios kartos RG (replacement-gate) architektūra, kuri yra technologiškai pažangiausia tarp rinkoje esančių patobulinimų. Palyginti su ankstesnės kartos 3D NAND, pagamintu Micron, skaitymo ir rašymo delsos sumažėjo daugiau nei 35%. Kitas privalumas yra kompaktiškas dizainas – 176 sluoksnių atminties matrica yra maždaug 30 % mažesnė nei geriausių savo klasėje konkurentų, todėl naujoji atmintis idealiai tinka programoms, kuriose svarbus mažas formos faktorius.
„Micron“ penktosios kartos 3D NAND taip pat gali pasigirti pramonėje pirmaujančiu duomenų perdavimo greičiu – 1600 33 milijonų per sekundę (MT/s) per atvirą NAND Flash Interface (ONFI) magistralę, o tai yra 1200 % greičiau nei 96 128 MT/s. 3 sluoksnių ir XNUMX sluoksnių XNUMXD NAND Micron atmintis iš ankstesnių kartų.
„Micron“ dirba su pramonės atstovais, kad paspartintų naujosios atminties pritaikymą. „Micron“ 176 sluoksnių trijų lygių 3D NAND atmintis serijiniu būdu gaminama „Micron“ Singapūro gamykloje ir dabar yra prieinama klientams, įskaitant „Crucial“ vartotojų kietojo kūno diskų liniją. Per 2021 kalendorinius metus bendrovė pristatys papildomų naujų produktų, paremtų šia technologija.
Taip pat skaitykite:
- Sony skelbia apie naują „Airpeak“ dronų projektą
- Ukrainoje prasidėjo mobiliojo steadicam FeiyuTech AK2000С pardavimas