Samsung Elektronika pristatė talpiausius pramonėje 12 nm DDR5 DRAM 32 Gb atminties lustus, kurie, anot jo, idealiai tinka dirbtinio intelekto amžiui. Prieš tai įmonė galėjo gaminti 32 Gbit lustus tik su TSV montuojamais 16 Gbit kristalais vienas ant kito. Išleidus „vienetinius“ 32 Gb DDR5 lustus tame pačiame pakete su 16 Gb lustais, sumažės suvartojimas ir atsivers kelias perspektyviems 1 TB atminties moduliams.
Remiantis skaičiavimais Samsung, DDR5 lustai su dviguba talpa užtikrins 10% mažesnį 128 GB DDR5 modulių suvartojimą. Įdomu tai, kad apie 12 nm 16 Gbit DDR5 DRAM gamybos pradžią kompanija pranešė visai neseniai – šių metų gegužę. Dabartinis pranešimas nereiškia, kad nedelsiant bus pradėta masinė 32 Gbit lustų gamyba. Jų gamybą bendrovė žada pradėti tik šių metų pabaigoje. Serijiniu būdu tiekiamų lustų talpos padidinimas iki 32 Gbit leis atminties gamintojams pereiti prie masinių 5 GB talpos DDR64 modulių ir iki 1 TB talpos serverių modelių.
„Sukurdami 12nm 32Gb klasės DRAM, pateikėme sprendimą, kuris leis gaminti iki 1TB DRAM modulius, o tai suteikia puikią galimybę patenkinti didėjantį didelės talpos DRAM poreikį dirbtinio intelekto ir didelių duomenis“, – sakė Sun. Jun Hwang, bendrovės DRAM produktų ir technologijų skyriaus vykdomasis viceprezidentas. Samsung Elektronika. „Mes ir toliau kursime DRAM sprendimus, pagrįstus diferencijuotais gamybos procesais ir projektavimo technologijomis, siekdami išplėsti atminties technologijos ribas.
Šiuo metu atminties gamintojai, tokie kaip SK hynix ir Micron, siūlo tik 24 Gb DDR5 lustus, kurie leidžia masinius modulius iki 96 GB, tačiau Samsung padidina talpą ir siūlo trečią tankesnį sprendimą. Tačiau „Micron“ savo veiksmų plane taip pat patvirtino darbą su 5 Gb DDR32 lustais, nors jie dar nebuvo oficialiai paskelbti.
Už jo istoriją Samsung išplėtė RAM ribas 500 64 kartų. Pirmąją (1983 Kbit) atmintį bendrovė pristatė 40 m. Per pastaruosius XNUMX metų ji neįtikėtinai daug kartų padidino mikroschemų talpą, apie kurią tuo metu mažai kas galėjo net pagalvoti.
Taip pat skaitykite:
- SK hynix sukūrė greičiausią atmintį pasaulyje – HBM3E, kurios greitis siekia 1,15 TB/s
- Huawei stato slaptą lustų gamyklų tinklą, kuriam taikomos sankcijos