Samsung Elektronika ketina išleisti 1 TB DDR5 atminties viename modulyje dėka proveržio DRAM gamyboje.
Pietų Korėjos įmonė išvystyta atminties pramonėje pirmoji 32 gigabitų (GB) DDR5 RAM su didžiausia talpa, naudojanti 12 nm procesą. Dėl to Samsung galės gaminti 5TB DDR1 atminties modulius, tačiau pereinant prie 32GB DRAM yra dar vienas privalumas. Palyginti su esamais 5 GB DDR16 DRAM moduliais, pagamintais naudojant 12 nm procesą, 128 GB modulių energijos suvartojimas sumažės 10%.
Pasak Sang-Joon Hwan, DRAM produktų ir technologijų viceprezidento Samsung Elektronika, iš pradžių pagrindiniai šios atminties vartotojai bus duomenų centrai, dirbtinis intelektas ir dideli duomenys: „Dėka mūsų 32 gigabaitų 12 nm klasės DRAM atminties, gavome sprendimą, kuris leis sukurti DRAM modulius su iki 1 TB apimtis, kuri leis mums būti idealioje padėtyje, kad patenkintume augantį didelės talpos operatyviosios atminties poreikį AI (dirbtinio intelekto) ir didelių duomenų eroje... Mes ir toliau kursime DRAM sprendimus naudodami diferencijuotus gamybos procesus ir dizaino technologijas, kad peržengtų atminties technologijos ribas.
Duomenų centrų operatoriams visada patiks daugiau atminties ir mažiau energijos. Tačiau ši atminties technologija ilgainiui turėtų būti perkelta į DDR5 modulius, naudojamus mūsų staliniuose ir nešiojamuosiuose kompiuteriuose. Šiuo metu 192 GB atminties rinkiniai, susidedantys iš keturių modulių, vartotojams atrodo aukščiausio lygio.
Taip pat skaitykite: