SK Hynix, otrs lielākais atmiņas mikroshēmu ražotājs pēc Samsung, tikko paziņoja (6. gada 2020. oktobrī), ka tas ir pirmais pasaulē, kas ražo čipsus DDR5 DRAM (dinamiskā RAM ar dubultu datu pārraides ātrumu).
Jaunās DDR5 DRAM mikroshēmas var lepoties ar 1,8 reizes ātrāku veiktspēju nekā iepriekšējās paaudzes DDR4 atmiņa. Dienvidkorejas uzņēmums paziņoja, ka ir pabeidzis dažādus testus un pat piegādājis partneruzņēmumiem savus paraugus testēšanai. Viens no šādiem partneriem ir Intel. DDR5 ir nākamās paaudzes DRAM standarts, kam būs plašs lietojumu klāsts, sākot no lielajiem datiem, mākslīgā intelekta, mašīnmācīšanās tehnoloģijām utt.
Saskaņā ar SK Hynix teikto, jaunā DDR5 DRAM atbalsta pārraides ātrumu no 4800 līdz 5600 Mb/s, kas ir 1,8 reizes ātrāk nekā DDR3200 piedāvātie 4 Mb/s. Jāatzīmē, ka ātrākā pārsūtīšanas iespēja ar ātrumu 5600 Mb/s ļauj lietotājiem vienā sekundē straumēt aptuveni deviņas FHD filmas, katra pa 5 GB. Neskatoties uz lielāku datu pārraides ātrumu, jaunās DRAM mikroshēmas ir arī energoefektīvākas: darba spriegums ir samazināts no 1,2 līdz 1,1 voltam, kas ļauj samazināt enerģijas patēriņu par 20 procentiem.
Jaunās DDR5 mikroshēmas ir arī ielādētas ar kļūdu labošanas kodu (ECC), kas pats spēj labot 1 bitu līmeņa DRAM šūnu kļūdas. Turklāt jaunā tehnoloģija 5 reizes palielināja arī DDR20 lietojumprogrammu sistēmas uzticamību un ļāva samazināt datu centru enerģijas patēriņu un ekspluatācijas izmaksas.
Lasi arī: