Uzņēmums Samsung Electronics paziņoja par pirmās tirgū pieejamās vienkristāla sistēmas System-on-Chip (SoC, sīkāk lasiet šeit) 10 nm FinFET procesā.

10 nanometri jau ir tirgū

"Pirmais masveida ražošanas 10 nm FinFET risinājums tirgū apliecina mūsu vadošo lomu progresīvu tehnoloģiju attīstībā," sacīja Jeons Šijuns (Yeon Shi-yun), viceprezidents, pusvadītāju ražošanas nodaļas vadītājs. Samsung Elektronika. - Mēs turpināsim pielikt visas pūles, lai radītu novatoriskas mērogojamas tehnoloģijas un nodrošinātu lietotājiem diferencētus integrētus risinājumus.

Jauns procesors Samsung 10nm FinFET (10LPE) ir uzlabota tranzistora 3D struktūra. Tā darbības tehnoloģija un dizains ir uzlaboti salīdzinājumā ar iepriekšējo 14nm versiju, nodrošinot par 30% lielāku īpatnējās virsmas efektivitāti, par 40% lielāku veiktspēju un 40% mazāku enerģijas patēriņu. Lai novērstu mērogošanas ierobežojumus, jaunajā risinājumā tiek izmantots jaunākais tehniskais risinājums – trīskāršā strukturēšana. Tas nodrošina divvirzienu maršrutēšanu, lai atbalstītu lielāku dizaina un maršrutēšanas elastību salīdzinājumā ar iepriekšējiem modeļiem.

Pirms tam Samsung prezentēja pirmās paaudzes risinājumus 10 nm tehnoloģiskajam procesam (10LPE). Otrajai paaudzei (10LPP) ir uzlabota veiktspēja, tās masveida ražošanas sākums ir paredzēts 2017. gada otrajā pusē.

Ciešā sadarbībā ar partneriem Samsung arī plāno izveidot funkcionālu pusvadītāju ekosistēmu, kas integrē atsauces plūsmas, IP un bibliotēkas pārbaudes rīkus. Pašlaik ir pieejams ražošanas izstrādes komplekts (PDK) un IP izstrādes komplekts, lai palaistu arhitektūru.

10 nm SoC sistēma tiks izmantota digitālajās ierīcēs no nākamā gada sākuma. Paredzams, ka masveida patērētājiem tie kļūs pieejami 2017. gada laikā. Jūs varat uzzināt vairāk par uzņēmumu Tiešsaistē .